FDC813是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高频率的开关应用设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。FDC813采用了先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该MOSFET采用SO-8封装,适合表面贴装工艺,便于自动化生产和空间受限的设计。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V(最大值)
连续漏极电流(ID):4.4A(在25℃)
导通电阻(RDS(on)):220mΩ(最大值,VGS=4.5V)
功率耗散:2.5W(最大值)
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SO-8
FDC813的主要特性之一是其低导通电阻,这使得在高频开关应用中能够显著降低导通损耗,从而提高整体系统效率。其220mΩ的RDS(on)在VGS=4.5V时表现优异,适用于要求高效率的小型电源系统。
此外,该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力,确保在高温环境下依然能够稳定工作。其SO-8封装形式不仅体积小巧,还具备良好的散热性能,适合用于高密度PCB布局。
FDC813的栅极驱动电压范围宽广,支持常见的3.3V、5V等逻辑电平控制,便于与各种控制器和驱动电路配合使用。这种灵活性使其在电池供电设备、手持设备和便携式电子产品中具有广泛的应用前景。
该MOSFET还具备较高的耐用性和可靠性,符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,符合现代电子制造对环保的要求。
FDC813主要用于低压功率转换系统中,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及各类电源管理模块。
在DC-DC转换器中,FDC813可作为主开关或同步整流开关,其低导通电阻有助于提高转换效率,减少发热,从而提升整体系统稳定性。
在电池供电设备中,例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品,FDC813可用于电源路径管理,实现高效的电源切换和负载控制。
此外,该器件也可用于电机控制、继电器驱动和LED照明等需要快速开关性能的场合,其高频率响应能力使其在PWM(脉宽调制)控制中表现出色。
FDC813的替代型号包括FDN340P、FDN337N、AO3400A、Si2302DS、IRLML2402等。