FDC813 时间：2025/8/24 19:38:13 阅读：20

FDC813是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。FDC813采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该MOSFET采用SO-8封装，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和空间受限的设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V（最大值）
　　连续漏极电流（ID）：4.4A（在25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：220mΩ（最大值，VGS=4.5V）
　　功率耗散：2.5W（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：SO-8

特性

FDC813的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高频开关应用中能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。其220mΩ的RDS(on)在VGS=4.5V时表现优异，适用于要求高效率的小型电源系统。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，确保在高温环境下依然能够稳定工作。其SO-8封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适合用于高密度PCB布局。
　　FDC813的栅极驱动电压范围宽广，支持常见的3.3V、5V等逻辑电平控制，便于与各种控制器和驱动电路配合使用。这种灵活性使其在电池供电设备、手持设备和便携式电子产品中具有广泛的应用前景。
　　该MOSFET还具备较高的耐用性和可靠性，符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子制造对环保的要求。

应用

FDC813主要用于低压功率转换系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器以及各类电源管理模块。
　　在DC-DC转换器中，FDC813可作为主开关或同步整流开关，其低导通电阻有助于提高转换效率，减少发热，从而提升整体系统稳定性。
　　在电池供电设备中，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品，FDC813可用于电源路径管理，实现高效的电源切换和负载控制。
　　此外，该器件也可用于电机控制、继电器驱动和LED照明等需要快速开关性能的场合，其高频率响应能力使其在PWM（脉宽调制）控制中表现出色。