RF5422SR 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的射频功率放大器(PA)模块,专为无线通信系统中的高功率应用设计。该模块采用 GaAs HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)技术制造,具有高线性度、高增益和高效能的特性,适用于多种无线通信标准,包括 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE。RF5422SR 封装为表面贴装(SMT)形式,便于集成到射频电路中。
频率范围:850 MHz - 960 MHz
增益:约 30 dB
输出功率(Pout):典型值 27 dBm
工作电压(Vcc):5 V
工作电流(Icc):约 120 mA
输入驻波比(VSWR):≤ 2:1
输出驻波比(VSWR):≤ 2:1
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF5422SR 是一款高性能的射频功率放大器模块,适用于多种无线通信系统。其基于 GaAs HBT 技术制造,具有出色的线性度和稳定性,能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。
该器件在 850 MHz 至 960 MHz 频率范围内工作,适用于 GSM 900、CDMA 和其他类似的通信标准。其典型增益为 30 dB,输出功率可达 27 dBm,能够在 5 V 电源电压下提供稳定的放大性能,同时功耗控制在较低水平,适合电池供电的设备使用。
此外,RF5422SR 具有良好的输入和输出匹配特性,输入和输出的 VSWR 均控制在 2:1 以内,减少了对外部匹配电路的依赖,简化了设计流程。该器件采用表面贴装封装,便于自动化生产和 PCB 集成,适用于基站、中继器、无线基础设施设备等应用。
RF5422SR 还具备较高的可靠性,在 -40°C 至 +85°C 的宽工作温度范围内能够稳定运行,适合各种工业和通信环境。其封装设计考虑了散热需求,能够在高功率输出下保持较低的热阻,从而提高器件的长期稳定性。
总之,RF5422SR 是一款适用于多标准无线通信系统的高性能射频功率放大器模块,具备高增益、高输出功率、低功耗、良好的线性度和稳定性等优点,适用于多种射频前端设计。
RF5422SR 主要用于无线通信系统中的射频前端部分,适用于 GSM 900、CDMA、WCDMA、LTE 等通信标准。典型应用包括蜂窝基站、中继器、无线接入点、远程射频单元(RRU)以及各种需要中等功率放大的射频设备。该器件也常用于测试设备和测量仪器中的信号放大环节。
RF5421SR, HMC414, AWT6127