PC97317-IBW/VUL 时间：2025/4/29 14:14:43 阅读：1

PC97317-IBW/VUL 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道增强型技术，适用于高电压、高效率的开关应用。其出色的性能和可靠性使其在工业控制、电源管理和电机驱动等应用中表现出色。
　　PC97317-IBW/VUL 的封装形式为 TO-263-3（D2PAK），具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，同时具备快速开关速度和低栅极电荷的特点。

参数

最大漏源电压：80V
　　连续漏极电流：45A
　　导通电阻：2.8mΩ
　　栅极电荷：11nC
　　总电容：135pF
　　功耗：270W
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃

特性

PC97317-IBW/VUL 具有以下关键特性：
　　1. 高额定电压和大电流承载能力，能够满足各种严苛的工作环境需求。
　　2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　3. 快速的开关速度，减少开关损耗，适合高频操作。
　　4. 小巧紧凑的 D2PAK 封装设计，便于布局和散热管理。
　　5. 提供卓越的热稳定性和可靠性，支持长时间连续运行。
　　6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。

应用

PC97317-IBW/VUL 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换和调节。
　　2. 工业设备中的电机驱动和控制。
　　3. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
　　4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）。
　　5. 各类高效能 DC-DC 转换器和负载点（POL）电源模块。
　　6. 通信基础设施中的电源解决方案。
　　由于其出色的电气特性和稳定性，PC97317-IBW/VUL 成为了许多高性能功率电子应用的理想选择。