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HH15N220F500CT 发布时间 时间:2025/7/3 9:11:17 查看 阅读:4

HH15N220F500CT 是一款高压 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高电压和高功率场景。该器件采用先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效减少能量损耗并提高系统效率。
  该 MOSFET 的额定电压为 220V,具有较强的耐压能力,适用于工业电源、电机驱动、逆变器等需要高效能量转换的应用场景。

参数

最大漏源电压:220V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:30nC
  开关时间:ton=40ns, toff=70ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高耐压能力,适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻,有助于降低功耗和提升效率。
  3. 快速开关特性,能够适应高频应用场景。
  4. 强大的过流保护功能,确保器件在极端条件下的可靠性。
  5. 宽温度范围,支持恶劣环境下的稳定运行。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率控制器件。
  3. 逆变器设计中的核心功率元件。
  4. LED 照明系统的恒流驱动模块。
  5. 工业自动化设备中的功率转换组件。

替代型号

IRF220PBF
  FDP15N22
  STP15NF22

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HH15N220F500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.16219卷带(TR)
  • 系列HH
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容22 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-