时间：2025/9/2 7:20:18
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H5GQ1H24BFR-R0C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装技术，适用于需要大容量内存和快速数据访问的设备，例如智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及网络设备等。H5GQ1H24BFR-R0C 作为一款LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）内存芯片，具有低功耗、高速传输和高集成度等优势。
容量：8Gb（1G x 8）
电压：1.1V
封装类型：BGA
封装尺寸：130-ball
内存类型：LPDDR4 SDRAM
数据速率：3200Mbps
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5GQ1H24BFR-R0C 采用先进的LPDDR4技术，能够在降低功耗的同时提供更高的数据传输速率，使其非常适合用于电池供电设备，如智能手机和平板电脑。
该芯片的封装采用小型化的BGA（Ball Grid Array）封装形式，提供了更高的布线灵活性和更好的热管理能力，从而提高了整体系统稳定性。
其支持1.1V的低电压供电，有助于进一步降低功耗，延长设备的续航时间。
此外，H5GQ1H24BFR-R0C 支持多银行（Multi-bank）架构和突发长度（Burst Length）优化，可以实现更高的数据吞吐量和更短的访问延迟，满足现代高性能计算和多媒体应用的需求。
这款内存芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主流SoC（系统级芯片）平台配合使用，简化了系统设计并提高了产品上市速度。
H5GQ1H24BFR-R0C 主要用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载娱乐系统、工业控制设备以及网络通信设备等需要高性能和低功耗内存的场合。其高容量和低功耗特性也使其适用于需要持续运行和多任务处理的嵌入式系统和物联网（IoT）设备。
H5GQ1H24AFR-R0C, H5GQ1H24AMR-R0C, H5GQ1H24EFR-R0C
