工作频率范围：1.8 GHz至2.4 GHz
　　输出功率：240 W（典型值）
　　漏极效率：超过65%
　　增益：18 dB（典型值）
　　工作电压：28 V
　　封装类型：Hittite封装
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1最大值
　　热阻：0.25°C/W
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

RF3024SB具备多个关键特性，以满足高功率射频应用的需求。首先，它采用LDMOS技术，提供高效率和高线性度，这对于保持信号完整性和减少失真非常重要。LDMOS器件的高增益和低噪声性能使其非常适合用于需要高输出功率的射频放大器。
　　其次，RF3024SB具有出色的热管理能力，其低热阻（0.25°C/W）确保在高功率操作时保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。这对于长期运行的应用（如基站和广播设备）至关重要。
　　此外，该器件在1.8 GHz至2.4 GHz的宽频率范围内提供稳定的性能，使其适用于多种无线通信标准，包括GSM、CDMA和LTE等。其高输出功率（240 W）和良好的增益（18 dB）使得系统设计更加灵活，减少了对外部放大器的需求。
　　RF3024SB还具备良好的阻抗匹配特性，输入驻波比（VSWR）最大为2.5:1，有助于减少信号反射并提高系统稳定性。其坚固的封装设计确保在恶劣环境条件下仍能保持稳定性能，适用于户外和工业级应用。

RF3024SB广泛应用于需要高功率输出和高可靠性的射频系统中。其主要应用包括无线基站放大器、广播设备（如FM和TV发射器）、工业加热设备、医疗射频设备以及测试与测量仪器。由于其在1.8 GHz至2.4 GHz频段的优异性能，它特别适用于4G LTE和5G前传网络中的射频功率放大器模块。
　　在无线通信基础设施中，RF3024SB可用于构建高效率的基站功率放大器，支持多种调制格式，确保低误码率和高数据吞吐量。在广播领域，该器件可用于构建高功率发射器，提供清晰稳定的信号传输。此外，在工业加热和等离子体处理应用中，RF3024SB能够提供稳定的射频能量输出，满足高精度加工需求。
　　测试与测量设备中，该器件可用于构建高性能射频信号源或放大器模块，支持广泛的频率和功率测试需求。由于其高稳定性和可靠性，RF3024SB也常用于航空航天和国防领域的通信系统中。

NXP MRFE6VP61K25H, Cree CGH40025