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IPB120P04P4L03ATMA1 发布时间 时间:2025/7/11 19:44:35 查看 阅读:16

IPB120P04P4L03ATMA1是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了TRENCHSTOP?技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种高效能开关应用,例如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理等。该芯片采用TO-252 (DPAK)封装形式,能够提供较高的电流处理能力和散热性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:3mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

这款MOSFET具有超低的导通电阻,仅为3mΩ,从而显著降低了传导损耗,提高了整体效率。此外,其快速开关能力使其非常适合高频开关应用。IPB120P04P4L03ATMA1还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力,确保在极端条件下的可靠性。
  该器件的TRENCHSTOP?技术进一步优化了其性能,通过减少寄生电感和电容,提升了开关效率并降低了电磁干扰(EMI)。同时,它支持高达120A的连续漏极电流,这使其成为高功率应用的理想选择。

应用

IPB120P04P4L03ATMA1广泛应用于工业和汽车领域中的高功率电路设计中,包括但不限于以下应用:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  4. 汽车电子系统中的负载切换
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率转换

替代型号

IPB150P04P4L04ATMA1

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IPB120P04P4L03ATMA1产品

IPB120P04P4L03ATMA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥31.16000剪切带(CT)1,000 : ¥16.45558卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.1 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 340μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)234 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)136W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB