时间：2025/8/9 9:50:55
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2SK2397-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频开关和功率放大应用。该器件采用小型表面贴装封装（S-Mini3-F3），适合高密度电路设计。它具备较低的导通电阻、较高的开关速度和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统等。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：1.5A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：0.45Ω @ VGS=10V
漏极-源极饱和电流（IDSS）：1μA @ VDS=30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：S-Mini3-F3
安装方式：表面贴装
2SK2397-01MR 具有多个关键特性，使其在高频功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）确保在导通状态下功耗最小化，从而提高整体系统效率。该MOSFET的高开关速度使其适用于高频DC-DC转换器和负载开关应用。此外，其紧凑的S-Mini3-F3封装提供了良好的热管理性能，同时节省PCB空间，适合高密度电路设计。该器件还具备较高的栅极绝缘强度，确保在恶劣工作条件下的稳定性和可靠性。
另一个显著特性是其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C），使其适用于各种环境条件，包括工业级和汽车级应用。此外，2SK2397-01MR 具备较低的漏电流（IDSS），即使在高温环境下也能保持良好的关断状态性能。综合这些特性，该MOSFET在便携式电子设备、电源管理系统、电机控制电路和小型开关电源中具有广泛的应用潜力。
2SK2397-01MR MOSFET主要应用于需要高效能和小型封装的电子系统中。例如，它常用于DC-DC转换器，作为负载开关控制电源供应。在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件可用于电源管理模块，以提高能效并延长电池寿命。此外，它也可用于电机驱动电路、LED背光控制和小型电源适配器。由于其高可靠性和紧凑设计，2SK2397-01MR 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和电池管理系统。
2SK2397-01MR的替代型号包括2SK3018-01MR、2SK2398-01MR和FDMS86180。
