时间：2025/5/23 16:29:01
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CDR31BP300BFZPAT是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率控制的场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和高耐压能力，可显著提高系统的效率并减少热量产生。
其封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产和紧凑型设计需求。这种芯片在高频工作条件下表现出色，能够有效降低开关损耗。
型号：CDR31BP300BFZPAT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：300V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：400W
结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装：TO-263(表面贴装)
CDR31BP300BFZPAT具备以下显著特点：
1. 高击穿电压（300V），确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（0.18Ω），从而减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并在高频应用中保持高效率。
4. 高雪崩能量能力，增强对异常条件的耐受性。
5. 支持表面贴装技术(SMT)，简化生产流程并提升可靠性。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
CDR31BP300BFZPAT适用于多种功率转换和控制场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统。
4. 汽车电子设备，例如电动车窗和座椅调节模块。
5. LED照明驱动电路。
6. 各类AC/DC和DC/DC转换器。
IRF840, STP16NF30L
