时间：2025/7/2 12:00:34
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RF03N220G6R3CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于高频、高效率功率转换应用。该器件采用增强型结构设计，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及射频放大器等领域。
这款 GaN 器件通过优化的封装技术实现了较低的寄生电感和良好的散热性能，同时支持高工作频率以减小无源元件的尺寸，从而实现更紧凑的设计。
型号：RF03N220G6R3CT
类型：GaN HEMT
最大漏源电压(Vds)：220V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：3A
导通电阻(Rds(on))：65mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：40nC（典型值）
开关频率：高达10MHz
封装形式：TO-263
RF03N220G6R3CT 具备优异的电气特性和热性能：
1. 高效：得益于其低导通电阻和快速开关能力，能够显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 紧凑设计：支持高频操作，可有效减小磁性元件体积，进而降低整体系统尺寸。
3. 高可靠性：采用先进的制造工艺，并经过严格的质量测试，确保在严苛环境下的长期稳定运行。
4. 易于驱动：兼容标准逻辑电平，简化了与控制器的接口设计。
5. 散热良好：优化的封装设计有效提升了热量散发能力，保证器件在高负载情况下的温度稳定性。
RF03N220G6R3CT 广泛应用于需要高性能功率转换的领域：
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 射频功率放大器
4. 电动汽车充电设备
5. 工业自动化控制
6. 能量存储系统中的逆变器模块
7. 数据中心供电解决方案
这些应用均受益于该器件带来的高效率和小型化优势。
RF04N220G6R3CT
RF03N200G6R3CT
STGAP220N03
GAN037-220DS
