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RF03N220G6R3CT 发布时间 时间:2025/7/2 12:00:34 查看 阅读:6

RF03N220G6R3CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于高频、高效率功率转换应用。该器件采用增强型结构设计,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及射频放大器等领域。
  这款 GaN 器件通过优化的封装技术实现了较低的寄生电感和良好的散热性能,同时支持高工作频率以减小无源元件的尺寸,从而实现更紧凑的设计。

参数

型号:RF03N220G6R3CT
  类型:GaN HEMT
  最大漏源电压(Vds):220V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):3A
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):40nC(典型值)
  开关频率:高达10MHz
  封装形式:TO-263

特性

RF03N220G6R3CT 具备优异的电气特性和热性能:
  1. 高效:得益于其低导通电阻和快速开关能力,能够显著降低导通损耗和开关损耗。
  2. 紧凑设计:支持高频操作,可有效减小磁性元件体积,进而降低整体系统尺寸。
  3. 高可靠性:采用先进的制造工艺,并经过严格的质量测试,确保在严苛环境下的长期稳定运行。
  4. 易于驱动:兼容标准逻辑电平,简化了与控制器的接口设计。
  5. 散热良好:优化的封装设计有效提升了热量散发能力,保证器件在高负载情况下的温度稳定性。

应用

RF03N220G6R3CT 广泛应用于需要高性能功率转换的领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 射频功率放大器
  4. 电动汽车充电设备
  5. 工业自动化控制
  6. 能量存储系统中的逆变器模块
  7. 数据中心供电解决方案
  这些应用均受益于该器件带来的高效率和小型化优势。

替代型号

RF04N220G6R3CT
  RF03N200G6R3CT
  STGAP220N03
  GAN037-220DS

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RF03N220G6R3CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格15,000 : ¥0.17697卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容22 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定6.3V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-