时间：2025/8/14 20:46:55
阅读：21
PJSR70TB4 是一款由 PanJIT（强茂）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该器件采用 TO-252 封装，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：60V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大漏极电流 (Id)：70A（在 Tc=25℃）
导通电阻 (Rds(on))：典型值 4.5mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散 (Pd)：100W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252
PJSR70TB4 具备多项优异特性，使其在各类功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 典型值仅为 4.5mΩ，这对于高电流应用场景尤为重要。
其次，该 MOSFET 支持高达 70A 的漏极电流，在 TO-252 封装中表现出色，能够满足高功率密度设计的需求。此外，其最大漏源电压为 60V，适用于多种中低压功率转换应用，如同步整流、马达驱动和电池管理系统。
PJSR70TB4 还具备良好的热稳定性，TO-252 封装有助于散热，提升了器件在高负载条件下的可靠性。其工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，适合在各种恶劣环境中使用。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路设计，简化了外围电路的设计复杂度。同时，PJSR70TB4 的开关特性优异，具有快速开关能力和低开关损耗，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和负载开关控制。
综上所述，PJSR70TB4 凭借其低导通电阻、高电流承载能力、良好的热性能以及优异的开关特性，成为电源管理和功率转换应用中的理想选择。
PJSR70TB4 主要应用于各类功率电子系统，包括但不限于以下领域：
1. **电源管理**：用于高效能 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关，提升系统整体效率和稳定性。
2. **电池管理系统（BMS）**：作为高电流开关元件，用于电池充放电管理、电池保护电路等场景。
3. **马达驱动**：在直流马达控制电路中作为功率开关，提供高效、可靠的电流控制。
4. **工业控制**：用于工业自动化设备中的电源开关、继电器替代以及高电流负载控制。
5. **通信设备**：应用于通信电源模块、服务器电源系统以及网络设备中的功率转换电路。
6. **消费类电子产品**：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等需要高效能功率管理的设备。
Si7461DP, IRF7470PBF, FDS7470, IPB070N06N G
