时间：2025/6/17 5:02:56
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CL31B475KAHVPNE 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道增强型技术，专为需要高效率和低导通电阻的应用设计。它具有出色的开关性能和耐用性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率管理应用。
其封装形式为 LFPAK88，这是一种表面贴装封装，能够提供卓越的散热性能和较低的寄生电感，非常适合高频开关应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：140mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1450pF
总热阻（结到外壳）：0.7°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
CL31B475KAHVPNE 具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，支持高达 650V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻 (Rds(on)) 设计，能够在高电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关速度，得益于优化的栅极电荷参数，可提高系统效率并降低电磁干扰 (EMI)。
4. 强大的热性能，通过 LFPAK88 封装实现高效的热量散发。
5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在极端环境下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的生产需求。
这款高压 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
2. 工业电机驱动和逆变器电路中的功率控制。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
4. LED 照明驱动电路中的高效开关。
5. 电动工具和家电设备中的功率管理部分。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS) 及其他相关组件。
CL31B475KAHSPNE, FDP5800, IRFB4750PBF
