类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-130mA
　　导通电阻（RDS(on)）：1.7Ω @ VGS = -10V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.45V 至 -1.4V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

BSS84AKS,115 是一款高性能的P沟道MOSFET，具有多项优异特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，其漏源电压（VDS）为-30V，能够承受较高的电压应力，适用于中低功率的电源管理应用。漏极电流额定值为-130mA，适合用于小型负载的开关控制。栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极控制能力，同时确保器件在正常工作范围内不会因过高的栅压而损坏。
　　其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）典型值为1.7Ω，这一参数在同类型MOSFET中表现良好，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，其阈值电压（VGS(th)）范围为-0.45V 至 -1.4V，属于低阈值电压器件，适合与低压控制电路（如3.3V或5V逻辑电平）配合使用，实现快速开关操作。
　　在封装方面，BSS84AKS,115 使用SOT-23（SC-59）表面贴装封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中布局。同时，其热性能良好，可支持较高的工作温度环境，确保在严苛条件下的稳定运行。工作温度范围从-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。
　　此外，BSS84AKS,115 还具备良好的抗静电能力（ESD保护）和高可靠性，符合RoHS环保标准，适用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子等多个领域。

BSS84AKS,115 广泛应用于多个电子系统中，适用于多种开关和控制场景。
　　在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和低功耗电源控制电路中。其低导通电阻和高速开关特性有助于提升电源转换效率，减少能量损耗。
　　在逻辑控制电路中，BSS84AKS,115 可作为电平转换器或反相器使用，适用于数字电路中的信号控制，尤其适合与3.3V或5V逻辑电平接口配合使用。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车身控制模块、车载娱乐系统、LED照明控制等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在车载环境中稳定运行。
　　此外，BSS84AKS,115 也适用于消费电子产品，如智能手机、平板电脑、无线耳机、智能手表等便携设备中的电源开关和负载管理电路。其SOT-23封装形式有助于节省空间，提高整机集成度。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件可用于传感器信号切换、继电器替代、电机控制等应用，提供高效、可靠的电子开关解决方案。

BSS84LT,115; DMG2305UX-7; FDV301P; BSS84W