时间：2025/7/8 9:17:32
阅读：13
RF03N0R5C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能射频功率晶体管，专为高频、高效率应用而设计。该器件采用先进的 GaN-on-SiC 工艺制造，具有卓越的输出功率和增益特性。其封装形式适合表面贴装，广泛应用于无线通信基础设施、雷达系统和测试测量设备中。
这款晶体管能够满足现代通信系统对宽带宽和高效能的需求，同时保持较高的可靠性和稳定性。
型号：RF03N0R5C500CT
工作频率范围：DC 至 3 GHz
饱和漏极电流：5 A
击穿电压：100 V
增益：12 dB（典型值）
输出功率：50 W（典型值）
效率：70%（典型值，视具体应用而定）
封装类型：SMD 表面贴装
结温范围：-55°C 至 +175°C
RF03N0R5C500CT 具备以下显著特性：
1. 高频率操作能力：覆盖从直流到 3 GHz 的宽广频率范围，适用于多种射频应用场景。
2. 高输出功率：在典型条件下可提供高达 50 W 的输出功率，确保信号传输的有效性。
3. 高效率：在高频段表现出色，效率可达 70%，降低散热需求并提升整体系统效能。
4. 良好的增益性能：拥有 12 dB 的典型增益，保证信号强度和清晰度。
5. 稳定性和可靠性：采用 GaN 技术制造，能够在高温环境下长期运行，具备出色的耐用性。
6. 小型化封装：支持 SMD 安装方式，有助于减少 PCB 占用面积并简化装配过程。
RF03N0R5C500CT 主要应用于以下领域：
1. 无线通信基站：如 LTE、5G 和毫米波通信系统中的功率放大器模块。
2. 雷达系统：包括军事及民用雷达，用于目标检测和跟踪。
3. 测试与测量设备：例如射频信号发生器、频谱分析仪等需要高性能射频源的仪器。
4. 医疗成像：超声波设备和其他需要高功率射频信号的应用。
5. 微波点对点链路：实现远距离高速数据传输。
RF03N0R5C300CT, RF03N0R5C600CT
