时间：2025/5/13 10:10:42
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SI4967DY-T1 是一款由 Vishay Siliconix 推出的高性能 N 沣道艖 渠道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET Gen IV 技术制造，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。其封装形式为热增强型 SO-8 封装，能够有效提升散热性能。
该器件的主要特点是其超低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg)，这使其非常适合于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电机驱动以及电池保护电路等。
型号：SI4967DY-T1
类型：N 沢道艖 MOSFET
封装：SO-8
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.5mΩ
Ids（连续漏极电流）：129A
Qg（总栅极电荷）：21nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：1.5V
f(max)（最大工作频率）：1MHz
功耗：取决于实际应用环境
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI4967DY-T1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 时仅为 1.5mΩ，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，最大 Ids 可达 129A，满足大功率应用需求。
3. 总栅极电荷 Qg 较低，仅为 21nC，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
4. 支持宽范围的工作温度，从 -55°C 到 +175°C，确保在极端环境下稳定运行。
5. 热增强型 SO-8 封装设计，优化了散热性能，适合高功率密度应用。
6. 兼容多种电源管理架构，包括同步整流、降压/升压转换器和电池管理系统。
这些特性使得 SI4967DY-T1 成为高效率、高可靠性电源转换的理想选择。
SI4967DY-T1 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器：用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备中的高效电源转换。
2. 电机驱动：支持无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机控制，提供高效的功率输出。
3. 电池保护：适用于锂离子电池组的充放电管理，确保电池安全和延长寿命。
4. 工业自动化：用于工业设备中的开关电源和负载控制。
5. 通信设备：为基站、路由器等通信基础设施提供可靠的电源解决方案。
6. 消费类电子产品：包括智能手机快速充电器、平板电脑适配器等对效率要求较高的产品。
通过其卓越的电气性能和热稳定性，SI4967DY-T1 在各种应用中均表现出色。
SI4968DY-T1
SIH49N30E-D
IRL3803PBF
