类型：射频晶体管
　　晶体管类型：NPN双极性晶体管
　　频率范围：100 MHz - 2.5 GHz
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：15 V
　　最大功率耗散：300 mW
　　增益（hfe）：50 - 300
　　噪声系数：0.5 dB @ 900 MHz
　　过渡频率（fT）：10 GHz
　　封装类型：SOT-89

RF001BN 具备出色的高频性能，能够在高达2.5 GHz的频率下稳定工作。其低噪声系数（在900 MHz时仅为0.5 dB）使其成为低噪声放大器（LNA）应用的理想选择。该器件的高过渡频率（fT为10 GHz）确保了在高频应用中的良好增益表现。此外，RF001BN 的硅双极性工艺提供了良好的线性度和热稳定性，适用于需要高保真信号放大的场合。其SOT-89封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，便于在高密度PCB设计中使用。该器件的增益范围较宽（50-300），用户可以根据具体应用需求选择合适的偏置条件以获得最佳性能。
　　RF001BN 的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，适用于工业级和高可靠性应用。该晶体管在输入和输出端口之间具有良好的隔离度，有助于减少信号反馈和干扰，提高系统的整体稳定性。此外，RF001BN 在低电压（通常为3V至5V）下即可正常工作，支持低功耗设计，适用于便携式射频设备和电池供电系统。

RF001BN 主要用于各种射频系统中的信号放大和开关控制。典型应用包括蜂窝基站、无线局域网（WLAN）设备、射频测试仪器、低噪声放大器（LNA）、射频前端模块、无线传感器网络以及卫星通信设备。由于其优异的高频性能和低噪声特性，RF001BN 也广泛用于射频接收链路中的第一级放大器，以提高系统的整体灵敏度和信号质量。此外，该器件还可用于射频功率放大器的前级驱动，确保后级放大器获得足够的输入信号强度。

BFU520, BFG21, BFR93A, MMBFJ201