型号：ET6050SOB
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压VDS：100V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：20A
　　脉冲漏极电流IDM：80A
　　导通电阻RDS(on)（典型值）：4.6mΩ
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.4V ~ 2.0V
　　最大栅源电压VGS(max)：+6V / -4V
　　输入电容Ciss：2300pF
　　输出电容Coss：590pF
　　反向恢复电荷Qrr：0C
　　关断时间toff（典型值）：7ns
　　封装类型：LGA 5.0mm x 6.5mm
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

ET6050SOB的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料所实现的卓越电学性能。该器件采用增强型结构设计，即常关型（normally-off）工作模式，极大提升了系统的安全性和易用性，特别适合对启动安全要求较高的应用场合。相比于传统的硅基MOSFET，ET6050SOB在导通电阻和开关速度方面实现了质的飞跃。其典型的RDS(on)仅为4.6mΩ，在100V耐压等级的器件中处于领先水平，能够有效降低导通损耗，尤其在大电流输出条件下表现出更高的效率。同时，得益于GaN材料的高电子迁移率，该器件具备极快的开关速度，关断时间低至7ns，允许电源系统运行在数MHz级别的开关频率下，从而大幅减小无源元件如电感和电容的尺寸与成本。
　　另一个关键特性是其极低的寄生参数。ET6050SOB具有非常小的输入和输出电容（Ciss=2300pF, Coss=590pF），这不仅降低了驱动功率需求，也减少了开关过程中的能量损耗。更重要的是，GaN FET本身不具备体二极管，因此不存在反向恢复电荷（Qrr=0C），彻底消除了由反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题，提高了系统EMI性能和可靠性。这一特性在同步整流拓扑和桥式电路中尤为重要。
　　该器件采用LGA表面贴装封装，底部带有大面积散热焊盘，有利于通过PCB进行高效的热传导。其紧凑的5.0mm x 6.5mm尺寸非常适合高密度布局的设计需求，如便携式设备电源模块或服务器VRM。此外，ET6050SOB支持快速栅极驱动，推荐使用专用的GaN驱动IC以充分发挥其高频性能潜力。为了确保长期可靠性，EPC公司在生产过程中实施了严格的动态应力测试（HiPOT和dV/dt测试），保证器件在实际应用中的稳健性。总体而言，ET6050SOB代表了当前宽禁带半导体技术在电源领域的先进水平，为追求极致效率和小型化的电力电子系统提供了理想选择。

ET6050SOB凭借其高频、高效和高功率密度的特点，被广泛应用于多个前沿电力电子领域。首先，在数据中心和通信基础设施中的DC-DC电源转换系统中，该器件可用于中间总线转换器（IBC）和负载点（POL）稳压器，支持高电流、低电压输出需求，例如为CPU、GPU或ASIC供电的VRM模块。其次，在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、手机快充和无线充电发射端，ET6050SOB能够实现更高开关频率下的小型化设计，显著缩小变压器和滤波元件体积，提升充电效率并降低发热。此外，它也被用于LED驱动电源，特别是在高亮度LED照明和汽车前照灯系统中，提供稳定的恒流输出和高调光精度。
　　在工业和医疗设备方面，ET6050SOB适用于激光二极管驱动器、X射线发生器和超声波电源等需要快速开关响应和精确控制的应用。其低Qrr特性可避免因反向恢复电流导致的误触发或器件损坏，提升系统安全性。在电动汽车和新能源领域，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及充电桩内部的辅助电源单元，助力提升整车能效和续航里程。此外，由于其优异的射频性能，ET6050SOB还可用于ISM频段的射频功率放大器，替代传统LDMOS晶体管，实现更宽带宽和更高效率的信号放大。总而言之，ET6050SOB适用于所有追求小型化、高效率和高可靠性的现代电源系统，是推动电力电子系统向高频化演进的重要元器件之一。

EPC2050
　　LMG5200R030