CBR02C809B8GAC 是一款基于陶瓷材料制造的多层片式电容器 (MLCC),属于 CBR 系列,适用于高频电路和信号处理应用。该型号具有高可靠性和稳定性,能够在宽温度范围内保持其性能,同时提供低 ESR(等效串联电阻)特性以减少信号损耗。
这款电容器采用了 X7R 温度补偿介质,使其具备优异的温度稳定性和容量变化特性。它通常用于电源滤波、耦合、去耦以及射频 (RF) 应用场景。
型号:CBR02C809B8GAC
电容值:8.2nF
额定电压:50V
耐压范围:DC 50V
封装形式:0402英寸
公差:±5%
温度特性:X7R
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:1.0mm x 0.5mm x 0.5mm
介质材料:X7R
ESR(典型值):≤ 0.3Ω
CBR02C809B8GAC 的主要特点是采用先进的多层陶瓷工艺制造,具备高精度和高稳定性。其 X7R 温度特性确保在 -55℃ 至 +125℃ 的温度范围内,电容值的变化率不超过 ±15%,从而保证了电路在不同环境下的可靠运行。
此外,该型号还具有低 ESR 特性,能够有效降低高频信号中的能量损失,并减少热噪声的影响。其紧凑的 0402 封装设计也使其非常适合于小型化和高密度组装的应用需求。
由于其出色的电气特性和机械强度,CBR02C809B8GAC 成为消费电子、通信设备及工业控制领域中高频电路设计的理想选择。
CBR02C809B8GAC 广泛应用于各种需要高性能电容器的场合,包括但不限于以下领域:
1. 高频滤波器设计,用于去除高频干扰信号。
2. 射频 (RF) 电路中的信号耦合与解耦。
3. 音频放大器中的旁路电容,以改善音质。
4. 数据通信设备中的电源去耦。
5. 工业控制系统的信号调理模块。
6. 消费类电子产品中的无线通信模块。
凭借其卓越的性能和可靠性,CBR02C809B8GAC 成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。
CBR02C809B8GATC, CBR02C809B8GAHC