RD100HHF1 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于高效率、高性能的开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用 TO-220 封装形式,具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能。
RD100HHF1 的设计旨在满足工业应用对高效能和稳定性的要求,适用于大电流和高电压环境下的功率转换任务。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:100A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):170nC
开关时间:ton=85ns,toff=90ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
RD100HHF1 提供了卓越的电气性能和可靠性。其低导通电阻可以显著降低传导损耗,从而提升整体系统效率。同时,快速的开关速度减少了开关损耗,在高频操作下表现出色。此外,该器件具备较高的雪崩耐量能力,能够在异常条件下保护电路。
ROHM 在该产品中采用了先进的工艺技术,确保其在恶劣环境下仍能保持稳定的性能。另外,其紧凑的 TO-220 封装便于安装,并提供良好的散热性能,使用户能够轻松实现高效的热管理方案。
RD100HHF1 常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. 工业自动化设备
5. 高压 DC-DC 转换器
6. 不间断电源(UPS)
由于其强大的电流承载能力和高电压耐受性,这款 MOSFET 成为许多高功率应用场景的理想选择。
IRFP260N
STP100NF75
FDP18N65
SUP75P06-08E