您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > RD100HHF1

RD100HHF1 发布时间 时间:2025/7/16 15:07:56 查看 阅读:5

RD100HHF1 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于高效率、高性能的开关电源、电机驱动、逆变器和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用 TO-220 封装形式,具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能。
  RD100HHF1 的设计旨在满足工业应用对高效能和稳定性的要求,适用于大电流和高电压环境下的功率转换任务。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):170nC
  开关时间:ton=85ns,toff=90ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

RD100HHF1 提供了卓越的电气性能和可靠性。其低导通电阻可以显著降低传导损耗,从而提升整体系统效率。同时,快速的开关速度减少了开关损耗,在高频操作下表现出色。此外,该器件具备较高的雪崩耐量能力,能够在异常条件下保护电路。
  ROHM 在该产品中采用了先进的工艺技术,确保其在恶劣环境下仍能保持稳定的性能。另外,其紧凑的 TO-220 封装便于安装,并提供良好的散热性能,使用户能够轻松实现高效的热管理方案。

应用

RD100HHF1 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. 太阳能逆变器
  4. 工业自动化设备
  5. 高压 DC-DC 转换器
  6. 不间断电源(UPS)
  由于其强大的电流承载能力和高电压耐受性,这款 MOSFET 成为许多高功率应用场景的理想选择。

替代型号

IRFP260N
  STP100NF75
  FDP18N65
  SUP75P06-08E

RD100HHF1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

RD100HHF1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载