类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏-源电压（VDS）：650V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.16Ω
　　栅极电荷（Qg）：50nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：125W

PR29MF21NIPF MOSFET采用先进的MDmesh? M技术，使其在高压应用中表现出色。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的高耐压能力（650V）使其适用于广泛的电源管理场景，包括AC-DC转换器和开关电源（SMPS）设计。此外，其封装形式（TO-220）具备良好的热管理性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　这款MOSFET的栅极电荷较低（50nC），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。其最大漏极电流为30A，能够在较高电流条件下稳定工作。器件的封装设计也有助于简化PCB布局，并提供良好的散热性能，提高系统整体的可靠性。
　　PR29MF21NIPF在过热和过流条件下具有较高的鲁棒性，能够承受一定的工作压力。此外，其符合RoHS标准，适用于环保型电子产品的设计。

PR29MF21NIPF广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。例如，它可用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，以提高能量转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，提供快速的开关响应和低导通损耗。此外，它也适用于逆变器、电机控制电路以及LED照明驱动电路。
　　由于其高耐压特性和良好的热管理能力，PR29MF21NIPF还适用于工业自动化设备、家电控制电路以及电动工具等高功率应用场景。在这些应用中，该器件能够提供稳定的性能，并在极端工作条件下保持良好的耐久性。

STP29NK65Z, STW29NK65Z, IPP29R016CPA