时间：2025/8/27 18:01:41
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PR29MF21NIPF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的MDmesh? M技术，具有低导通电阻和高效率的特性。这款MOSFET主要用于电源管理和功率转换应用，例如电源供应器、DC-DC转换器以及电机控制电路。其增强型设计可以提供更出色的热稳定性和更高的可靠性，适用于高功率密度和高效率的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏-源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：0.16Ω
栅极电荷（Qg）：50nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：125W
PR29MF21NIPF MOSFET采用先进的MDmesh? M技术，使其在高压应用中表现出色。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件的高耐压能力（650V）使其适用于广泛的电源管理场景，包括AC-DC转换器和开关电源（SMPS）设计。此外，其封装形式（TO-220）具备良好的热管理性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
这款MOSFET的栅极电荷较低（50nC），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。其最大漏极电流为30A，能够在较高电流条件下稳定工作。器件的封装设计也有助于简化PCB布局，并提供良好的散热性能，提高系统整体的可靠性。
PR29MF21NIPF在过热和过流条件下具有较高的鲁棒性，能够承受一定的工作压力。此外，其符合RoHS标准，适用于环保型电子产品的设计。
PR29MF21NIPF广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。例如，它可用于开关电源（SMPS）中的主开关器件，以提高能量转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，提供快速的开关响应和低导通损耗。此外，它也适用于逆变器、电机控制电路以及LED照明驱动电路。
由于其高耐压特性和良好的热管理能力，PR29MF21NIPF还适用于工业自动化设备、家电控制电路以及电动工具等高功率应用场景。在这些应用中，该器件能够提供稳定的性能，并在极端工作条件下保持良好的耐久性。
STP29NK65Z, STW29NK65Z, IPP29R016CPA
