CJC5357 时间：2025/8/17 3:45:41 阅读：2

CJC5357 是一款由 CJ（长电科技）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度的特点，能够在较高的开关频率下保持良好的效率。CJC5357 通常采用 SOP-8 或 TSSOP 封装形式，适合表面贴装工艺，符合 RoHS 环保标准。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：4.8A（@25℃）
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤28mΩ（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　功率耗散（Pd）：3.4W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8 / TSSOP

特性

CJC5357 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可显著降低导通损耗，提高系统效率。其栅极氧化层设计优化，具有良好的栅极稳定性与抗静电能力，适用于高频率开关操作。此外，该器件具备较高的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　该 MOSFET 的封装形式适用于表面贴装工艺，有利于自动化生产与高密度 PCB 布局。其低导通电阻与快速开关特性，使其在同步整流、电源管理模块以及电池供电设备中表现出色。CJC5357 还具有良好的热阻性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的温升，从而提升整体系统的稳定性与寿命。
　　另外，CJC5357 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），使其适用于多种控制电路，包括 PWM 控制器、DC-DC 转换器及负载开关等应用场景。同时，该器件的短路和过热保护能力也使其在复杂工作环境中具备更高的安全性和可靠性。

应用

CJC5357 广泛应用于各类电源管理系统，包括但不限于 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关、马达驱动电路以及工业控制设备。由于其低导通电阻和高效率的特性，该 MOSFET 特别适合用于便携式电子设备、智能穿戴设备、无人机电源管理模块以及各类低电压高电流的电源转换电路中。