制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储器类型：NOR Flash
　　存储容量：16 Mbit
　　组织结构：2M x 8/1M x 16
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：110 ns
　　接口类型：并行
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：48-TSOP
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区或整片擦除
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　总线宽度：可配置为8位或16位模式
　　待机电流：典型值< 100 μA
　　编程电流：典型值约 20 mA
　　擦除电流：典型值约 25 mA
　　写入周期时间：典型值 200 μs（缓冲编程）
　　扇区数量：32个扇区（每扇区512Kbit）
　　数据保持时间：10年（典型）
　　擦写次数：100,000次（典型）

GT28F160C3TA110具备多项关键特性，使其在嵌入式系统中表现出良好的性能与可靠性。首先，该芯片采用了Intel的StrataFlash C3技术，结合了NOR闪存的快速随机访问能力和多级单元（MLC）的高密度优势，允许在不牺牲基本读取性能的前提下实现更高的存储效率。这种设计特别适合需要在有限空间内集成更多固件代码或静态数据的应用。其次，该器件支持灵活的扇区架构，共分为32个独立可擦除的扇区，每个扇区大小为512Kbit，使得用户可以在不影响其他数据的情况下对特定区域进行更新，极大提升了固件升级和数据管理的灵活性。此外，芯片内置硬件写保护（WP）引脚，可在物理层面防止意外写入或擦除操作，增强系统在异常断电或电磁干扰环境下的数据安全性。
　　在操作方面，GT28F160C3TA110支持缓冲编程技术，允许将多个字节数据暂存在内部缓冲区后再一次性写入，显著提高了编程速度并减少了CPU等待时间。同时，其内部集成电荷泵电路，无需外部高压编程电源即可完成写入和擦除操作，简化了系统电源设计。该芯片还具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适用于电池供电或对能效有要求的设备。另外，其并行接口支持8位和16位两种总线宽度模式，能够兼容多种微控制器和处理器架构，增强了系统设计的通用性。最后，GT28F160C3TA110通过了严格的工业级温度认证（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下仍能稳定运行，满足工业自动化、车载电子等严苛应用场景的需求。

GT28F160C3TA110广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业控制领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程I/O模块中，用于存储启动代码、配置参数和校准数据，其高耐用性和宽温特性确保在工厂环境中长期稳定运行。在网络通信设备中，如路由器、交换机和DSL调制解调器，该芯片用于存放引导程序（Bootloader）和操作系统映像，支持快速启动和现场固件升级。在消费类电子产品方面，打印机、复印机和多功能一体机利用该闪存存储固件和字体库，其扇区保护机制有效防止因异常断电导致的固件损坏。此外，在汽车电子系统中，GT28F160C3TA110可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘和车载信息娱乐系统的子模块中，存储控制逻辑和标定数据，满足车规级可靠性要求。医疗设备中的一些便携式监测仪器也采用此类闪存来保存设备配置和校准记录，确保数据在断电后不丢失。由于其并行接口特性，该芯片尤其适用于那些使用传统MPU或DSP且未集成大容量片上闪存的系统，作为外部程序存储器扩展方案。尽管随着串行NOR（如SPI QPI Flash）的发展，高引脚数的并行闪存逐渐被替代，但在需要较高吞吐率或与旧有架构兼容的设计中，GT28F160C3TA110仍具有不可替代的价值。

S29GL128P_110
　　S29GL064N_110
　　MT28EW160A_110