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RBQ30NS65ATL 发布时间 时间:2025/12/25 12:12:47 查看 阅读:24

RBQ30NS65ATL是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的高电压、高速绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高效率开关电源、工业电机驱动以及各种高功率应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅场截止(Trench Gate Field-Stop)技术,实现了优异的开关性能与导通损耗之间的平衡,有助于提高系统整体能效。RBQ30NS65ATL的额定电压为650V,额定电流为30A(在特定条件下),适用于需要高可靠性和高性能的电力电子系统中。其封装形式通常为TO-247,具备良好的热传导能力和机械稳定性,便于安装于散热器上以实现高效散热。此外,该IGBT内置了快速恢复二极管,可进一步简化电路设计并减少外围元件数量。通过优化内部结构和材料选择,RBQ30NS65ATL在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适合在恶劣工作条件下长期运行。

参数

型号:RBQ30NS65ATL
  制造商:ROHM
  器件类型:IGBT + 二极管
  最大集射极电压 VCES:650V
  最大集电极电流 IC (DC):30A
  最大集电极电流 IC (脉冲):90A
  最大工作结温 TJ:150°C
  栅极-发射极电压范围 VGE:±20V
  导通延迟时间 td(on):典型值约45ns
  关断延迟时间 td(off):典型值约75ns
  集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) @ IC=30A, VGE=15V:典型值约1.7V
  反向恢复时间 trr:典型值约50ns
  封装类型:TO-247

特性

RBQ30NS65ATL采用先进的沟槽栅场截止(Trench Gate Field-Stop)IGBT技术,这种结构显著降低了器件的导通压降和开关损耗,从而提升了整体能效。其核心优势在于能够在高频开关操作下维持较低的功耗,同时保证足够的电流承载能力,特别适用于变频器、感应加热、不间断电源(UPS)及太阳能逆变器等高要求应用场景。该器件具有出色的热稳定性和长期可靠性,在满载运行时也能有效控制温升,延长系统使用寿命。
  另一个关键特性是集成的快速恢复二极管,该二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和短反向恢复时间(trr),能够大幅降低换流过程中的能量损耗,并抑制电压尖峰,提升系统的电磁兼容性(EMC)表现。这对于减少滤波元件需求、缩小整机体积具有重要意义。此外,该二极管的软恢复特性也有助于降低噪声干扰,避免对控制系统造成误触发。
  RBQ30NS65ATL具备优良的短路耐受能力,能够在规定时间内承受过流冲击而不发生永久性损坏,增强了系统的故障保护能力。其栅极驱动门槛电压设计合理,兼容标准的15V驱动信号,易于与常见的驱动IC配合使用。TO-247封装不仅提供了良好的散热路径,还具备较高的爬电距离和电气隔离性能,满足工业级安全标准。总体而言,该器件在性能、可靠性和易用性之间实现了良好平衡,是中高端功率转换系统的理想选择之一。

应用

广泛应用于工业电机驱动、变频空调、光伏逆变器、UPS电源、感应加热设备、电焊机以及各类高效率DC-AC和AC-AC功率转换系统中。

替代型号

RHP30NS65ATL

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RBQ30NS65ATL参数

  • 现有数量996现货
  • 价格1 : ¥13.59000剪切带(CT)1,000 : ¥6.90449卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)65 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)690 mV @ 15 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 65 V
  • 工作温度 - 结150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装LPDS