时间：2025/4/27 16:43:19
阅读：4
SIHG065N60E-GE3 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，由知名半导体制造商生产。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度，非常适合用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理应用。其额定电压为 600V，能够承受较高的反向电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：6.5A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：0.55Ω
总功耗：14W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
SIHG065N60E-GE3 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 内置保护功能，例如过流保护和过温保护，提升系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 提供卓越的雪崩能力和抗静电能力（ESD）。
7. 稳定的工作性能，能够在较宽的温度范围内正常运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池充电器和逆变器。
4. 家电产品中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 照明系统中的电子镇流器和 LED 驱动器。
7. 各种需要高压开关的应用场景。
SIHG065N60E-D3
IRF650
FQP06N60C
