类型：NPN-PNP互补对
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V（NPN），50V（PNP）
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：70V（NPN），70V（PNP）
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：6V（NPN），6V（PNP）
　　连续集电极电流（IC）：100mA（NPN），100mA（PNP）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：120～700（典型值取决于工作点）
　　增益带宽积（fT）：80MHz（NPN），70MHz（PNP）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（TO-236AB）

RB751G-40T2R的最大优势之一在于其内部NPN与PNP晶体管之间的高度匹配性，这种匹配不仅体现在电流增益（hFE）的一致性上，还包括开关特性和温度响应行为的协同优化。
　　在实际应用中，这对匹配晶体管能够显著提高差分放大器的共模抑制比（CMRR），减少因器件离散性带来的失调电压和漂移问题，从而提升精密模拟电路的稳定性与精度。此外，该器件具备较高的增益带宽积，NPN部分可达80MHz，PNP部分为70MHz，使其能够在高频小信号放大场合下保持良好的频率响应，适用于音频前置放大、射频缓冲级等需求快速响应的应用场景。
　　RB751G-40T2R还具备较低的饱和压降（VCE(sat)），这有助于降低导通状态下的功耗，提升能效表现，尤其在电池供电设备中尤为重要。其SOT-23封装结构不仅节省PCB空间，而且具有优良的热传导性能，确保在紧凑布局条件下仍能有效散热。器件的电气隔离设计也保证了两个晶体管之间不会产生不必要的串扰，增强了信号完整性。
　　另一个关键特性是其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），使该器件可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及户外通信设备等严苛应用场景。同时，产品通过AEC-Q101车规级可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步拓展了其在车载系统中的适用性。
　　RB751G-40T2R还具备良好的ESD耐受能力，提升了在生产和使用过程中的抗静电损伤能力，降低了失效风险。综合来看，这款互补双极晶体管以其高匹配度、高频性能、低功耗和高可靠性，在众多分立器件中脱颖而出，成为设计师在构建高性能模拟前端或驱动电路时的理想选择。

RB751G-40T2R广泛应用于各种需要双极型晶体管配对工作的电子电路中。在模拟信号处理领域，常用于构建差分输入级放大器，利用其良好的增益匹配和温度一致性来实现高精度信号放大，常见于运算放大器前级、传感器信号调理电路以及音频前置放大模块中。
　　在数字逻辑接口电路中，该器件可用于电平移位器或线路驱动器，实现不同电压域之间的信号转换与隔离，例如在微控制器与外围设备之间进行3.3V与5V逻辑电平适配。
　　此外，它也被广泛用作小功率推挽输出级，特别是在DC-DC转换器的栅极驱动电路或LED驱动电路中，NPN-PNP互补结构可实现高效的双向电流控制，避免使用额外的电荷泵电路。
　　在电源管理应用中，RB751G-40T2R可用于线性稳压器的误差放大器输出级，或作为过流保护电路中的检测与驱动元件。
　　由于其SOT-23小型封装特性，该器件非常适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、可穿戴设备、无线耳机、蓝牙模块和物联网终端设备。
　　在工业自动化系统中，该晶体管对可用于光电耦合器的接收端放大电路、继电器驱动缓冲级或PLC输入/输出模块中的信号整形电路。
　　同时，凭借其可靠的性能和宽温工作能力，RB751G-40T2R也可应用于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、车灯驱动单元、HVAC控制系统以及车载信息娱乐系统的接口电路中，满足车规级应用对长期稳定性和环境适应性的要求。

MMBT2907A-7-F
　　FMMT491TA
　　BC868B,215
　　KSC2789YBU