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DMN3011LSSQ 发布时间 时间:2025/7/5 5:55:56 查看 阅读:102

DMN3011LSSQ是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用超小型DFN2020-8封装,适合于空间受限的应用场景。DMN3011LSSQ的主要特点是低导通电阻(Rds(on)),能够在高频开关和低功耗应用中提供高效性能。
  这款MOSFET通常用于负载开关、电源管理电路、便携式电子设备中的电池管理以及需要高性能开关的各类应用。

参数

最大 drain-source 电压(Vds):30V
  最大 gate-source 电压(Vgs):±8V
  连续 drain 电流(Id):1.5A
  导通电阻(Rds(on)):70mΩ(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷(Qg):3nC
  总热阻(θJA):115°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

DMN3011LSSQ具有非常低的导通电阻,能够有效降低功率损耗并提高效率。
  其小型化的DFN2020-8封装设计非常适合现代电子设备的小型化趋势。
  此外,它具备快速开关速度,能够适应高频工作环境。
  由于采用了无引线封装,该器件还具有优良的热性能和电气性能,并且符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

DMN3011LSSQ广泛应用于消费类电子产品中,如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
  它也常被用作负载开关,在USB充电端口保护和DC-DC转换器中发挥关键作用。
  此外,该MOSFET还可用于LED驱动器、电机控制和其他需要低导通电阻开关的场合。

替代型号

DMN3020LSSQ
  BSC016N06NS3
  AO3401A

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