时间：2025/7/5 5:55:56
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DMN3011LSSQ是一款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用超小型DFN2020-8封装，适合于空间受限的应用场景。DMN3011LSSQ的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关和低功耗应用中提供高效性能。
这款MOSFET通常用于负载开关、电源管理电路、便携式电子设备中的电池管理以及需要高性能开关的各类应用。
最大 drain-source 电压(Vds)：30V
最大 gate-source 电压(Vgs)：±8V
连续 drain 电流(Id)：1.5A
导通电阻(Rds(on))：70mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：3nC
总热阻(θJA)：115°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
DMN3011LSSQ具有非常低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高效率。
其小型化的DFN2020-8封装设计非常适合现代电子设备的小型化趋势。
此外，它具备快速开关速度，能够适应高频工作环境。
由于采用了无引线封装，该器件还具有优良的热性能和电气性能，并且符合RoHS标准，环保且可靠。
DMN3011LSSQ广泛应用于消费类电子产品中，如智能手机和平板电脑的电源管理模块。
它也常被用作负载开关，在USB充电端口保护和DC-DC转换器中发挥关键作用。
此外，该MOSFET还可用于LED驱动器、电机控制和其他需要低导通电阻开关的场合。
DMN3020LSSQ
BSC016N06NS3
AO3401A
