时间：2025/4/29 12:13:50
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IRFB7534PBF是由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，采用PQFN5x6封装形式。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、同步整流电路以及其他需要高效能和低损耗的电力电子系统中。得益于其较低的导通电阻和极快的开关速度，IRFB7534PBF在便携式设备、计算机外设以及通信电源等领域有着广泛的应用。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V条件下）
栅极电荷：8nC
输入电容：1040pF
总热阻：35°C/W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRFB7534PBF具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频应用中实现更高的效率。此外，该器件具备快速开关性能，可有效降低开关损耗。
其优化的封装设计使其具备良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
由于采用了先进的制造工艺，IRFB7534PBF还具备较高的可靠性和稳定性，能够适应恶劣的工作环境。
此外，该器件支持宽范围的工作温度，进一步扩展了其应用场景。
IRFB7534PBF常用于以下领域：
1. 高效DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关
2. 开关电源中的功率级
3. 笔记本电脑和移动设备的充电管理
4. 电机驱动电路中的功率开关
5. 各类工业控制设备中的负载切换开关
6. 通信电源中的高性能功率转换模块
IRF7832PBF, FDP5800, AO3402A
