类型：肖特基势垒二极管阵列
　　拓扑结构：双共阴极
　　最大正向电流：150 mA
　　峰值反向电压：30 V
　　正向电压（典型值）：0.36 V @ 10 mA
　　反向漏电流（最大值）：100 nA @ 30 V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOD-523

RB501V-404 肖特基势垒二极管的主要特性之一是其低正向电压降，这有助于减少功率损耗并提高能效。在典型工作条件下，其正向电压仅为 0.36 V，显著低于传统硅二极管的 0.7 V。这种低 VF 特性使其非常适合用于低电压、高效率的应用，例如电池供电设备和便携式电子产品中的电源管理电路。
　　此外，该器件采用双共阴极配置，提供两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚，适用于需要多个二极管的电路设计，如信号隔离、电压钳位和逻辑电平转换等应用。其表面贴装封装（SOD-523）确保了小型化设计，并提高了自动化装配的效率。
　　RB501V-404 的最大反向电压为 30 V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中低功率应用场景。其反向漏电流在最大工作电压下仅为 100 nA，有助于减少不必要的功耗和发热。此外，该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行。

RB501V-404 主要应用于需要低正向电压和高速开关性能的电路中。例如，在电池供电设备中，它可以用于提高能效并延长电池寿命；在数字电路中，它可用于逻辑电平转换、信号隔离和电压钳位；在通信设备中，它可用于射频信号整流和保护电路。
　　此外，该器件还广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子系统等。在汽车电子领域，RB501V-404 可用于车身控制模块、传感器接口电路以及车载娱乐系统的电源管理部分，提供可靠的二极管功能并减少热量产生。

RB501V-40T101, RB501V-30, BAT54系列