时间：2025/9/2 2:52:43
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H9CKNNNBPTARLR-NTH 是一颗由SK Hynix（海力士）公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片广泛应用于高性能计算、服务器、网络设备和嵌入式系统等领域，提供高速数据存储和访问能力。该型号属于DDR4 SDRAM（双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）类别，具有高带宽、低功耗和高密度存储的特点。封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合各种高密度内存模块设计。
类型：DRAM
型号：H9CKNNNBPTARLR-NTH
制造商：SK Hynix
存储容量：8GB
接口标准：DDR4 SDRAM
工作电压：1.2V
数据传输速率：3200Mbps
封装类型：TSOP
引脚数：78
工作温度范围：0°C 至 +85°C
工艺技术：20nm级
数据总线宽度：x16
H9CKNNNBPTARLR-NTH 是一款高性能的DDR4 SDRAM芯片，采用了先进的20nm级制造工艺，显著提高了存储密度并降低了功耗。该芯片的工作电压为1.2V，相较于前代DDR3 SDRAM，功耗降低了约20%，适用于对功耗敏感的应用场景。其数据传输速率达到3200Mbps，能够满足高速数据传输的需求，适用于服务器和高性能计算设备。
此外，该芯片采用了x16的数据总线宽度，提供了更高的带宽利用率，适合大数据吞吐量的场景。封装形式为TSOP，具有良好的热稳定性和电气性能，适合在高密度PCB布局中使用。芯片内置温度传感器，支持自动刷新和自刷新模式，确保数据的稳定性和可靠性。
在工作温度方面，该芯片支持0°C至+85°C的工业级温度范围，适用于各种严苛的环境条件。同时，它支持多种操作模式，包括突发模式、预充电模式和低功耗待机模式，用户可以根据具体应用需求灵活配置。
H9CKNNNBPTARLR-NTH 适用于多种高性能存储应用，包括服务器内存模块、网络交换机、路由器、工业控制设备、嵌入式系统以及高端PC内存条。由于其高带宽、低功耗和高稳定性，该芯片也常用于数据中心、云计算设备和AI加速器等对内存性能要求较高的系统中。
H9CKNNNBPTARLR-NTH 可以作为替代型号的包括 H9CPLNNNPTALR-NTH（8GB DDR4 3200Mbps）和 H9CQLNNNPTALR-NTH（8GB DDR4 3200Mbps），它们在封装、容量和性能上具有相似性，适合不同设计需求的替换使用。
