时间：2025/7/12 1:01:29
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IPD14N03L是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适合用于要求高效能和低损耗的电路设计中，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
IPD14N03L属于OptiMOS系列，工作电压为30V，封装形式通常为TO-263（DPAK），能够满足各种工业和消费类应用需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
栅极电荷（典型值）：29nC
总电容（输入电容）：820pF
功耗：70W
结温范围：-55℃ to 175℃
IPD14N03L具有非常低的导通电阻，这使得其在功率转换过程中产生的热损耗较小，从而提升了系统的整体效率。
该器件的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，减少开关损耗。
其沟槽式结构确保了较高的电流密度，并且具备优异的热稳定性，可以长时间运行于高温环境。
此外，IPD14N03L还具备ESD保护功能，增强了芯片的可靠性。
由于采用了DPAK封装，散热性能较好，适合大功率应用场景。
IPD14N03L常用于DC-DC转换器、降压/升压转换器、负载点调节器（POL）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各类工业控制设备中。
此外，它也适用于笔记本电脑适配器、手机快充模块以及其他便携式电子设备的电源管理系统。
由于其出色的开关特性和低导通电阻，IPD14N03L非常适合高频开关应用和需要高效率转换的场合。
IPB140N03L, IPPB140N03L, IRFZ44N
