类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：7.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散：3.4W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TDFN

AP3NA7R2YT具有多个显著的电气和物理特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET能够在较高的温度下稳定工作，适用于严苛的环境条件。此外，TDFN封装不仅节省空间，还提供了优异的热传导性能，有助于有效地散发工作过程中产生的热量。
　　AP3NA7R2YT的栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计，从而增强了其在不同应用场景中的适应性。该器件的快速开关特性使其非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器、电源管理和负载开关电路。此外，其高可靠性确保了在长时间运行和高负载条件下的稳定性能，适用于工业控制和汽车电子等对可靠性要求极高的领域。

AP3NA7R2YT广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：首先，在电源管理系统中，它被用于实现高效的能量转换和分配；其次，在DC-DC转换器中，该MOSFET的高效率和快速开关特性有助于提高转换效率；此外，它还可用于负载开关电路、电机控制和电池供电设备中的功率管理。由于其在高温环境下仍能保持稳定性能，AP3NA7R2YT也常被用于汽车电子系统、工业自动化设备以及通信基础设施中。

SiSS128DN-T1-GE3
　　NVTFS5C471NLWTAG