您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PESD24VS2UQT/R

PESD24VS2UQT/R 发布时间 时间:2025/7/16 18:10:53 查看 阅读:7

PESD24VS2UQT/R 是一款由 Nexperia(安世半导体)推出的双路双向静电放电(ESD)保护二极管,专为高速数据线路和敏感电子设备设计。该器件可有效吸收和泄放静电放电能量,防止因静电引起的电路损坏,适用于各种通信接口和便携式电子设备。

参数

类型:ESD 保护二极管
  通道数:2 通道(双路)
  工作电压:24V
  反向关态电压(VRWM):24V
  最大钳位电压(VC):36.1V(在 Ipp = 1A 时)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A(8/20μs 波形)
  封装形式:TSOP
  安装类型:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PESD24VS2UQT/R 具备优异的 ESD 保护性能,可承受高达 ±30kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电,符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准。其双路双向设计使其能够同时保护两条信号线路,适用于差分信号传输接口。该器件采用小型 TSOP 封装,节省 PCB 空间,适用于高密度电路设计。此外,其低电容特性(典型值小于 1pF)确保了在高速数据传输中的信号完整性,不会对传输速率造成影响。PESD24VS2UQT/R 的响应时间极短,能够在纳秒级内对瞬态电压做出反应,迅速将电流引导至地,从而有效保护后端电路免受损害。该器件还具有低漏电流和高可靠性,适用于工业、消费电子和通信设备等广泛应用场景。
  在结构设计方面,PESD24VS2UQT/R 采用硅基雪崩击穿结构,具备良好的热稳定性和重复击穿能力,能够在多次 ESD 事件中保持稳定性能。其内部结构优化降低了寄生电感,提升了高频下的保护性能。此外,该器件的封装材料符合 RoHS 和 REACH 环保标准,适用于无铅生产工艺。

应用

PESD24VS2UQT/R 主要应用于需要 ESD 保护的高速通信接口,如 USB 2.0、HDMI、以太网、RS-485、CAN 总线等接口保护。它也适用于便携式设备如智能手机、平板电脑、数码相机等产品的数据线路保护。在工业控制系统中,该器件可用于保护敏感的模拟和数字信号输入端口。此外,PESD24VS2UQT/R 还广泛用于汽车电子系统中的 CAN 和 LIN 总线保护,确保车载通信系统的稳定性和可靠性。

替代型号

PESD24VS2BT/R, PESD24VL2UQ, PESD24VS2UC