时间：2025/12/25 10:57:12
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RB501SM-30T2R是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SOD-123FL小型表面贴装封装。该器件专为高效率、低功耗应用而设计，适用于便携式电子设备和空间受限的电路板布局。其主要特点是具有较低的正向导通电压和快速的反向恢复时间，这使其在开关电源、DC-DC转换器以及信号整流等高频应用中表现出色。该型号中的“-30”表示其最大重复反向电压为30V，“T2R”代表卷带包装形式，适合自动化贴片生产。
RB501SM-30T2R的结构基于先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向压降（VF），提高了整流效率并减少了热损耗。由于没有少数载流子存储效应，该类二极管具备极快的开关速度，几乎无反向恢复电荷（Qrr），因此特别适用于高频开关环境。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的温度稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
类型：肖特基势垒二极管
极性：单路
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大正向电流（IF）：500mA
峰值脉冲正向电流（IFSM）：2A
最大正向电压（VF）：490mV @ 100mA, 25°C
最大反向电流（IR）：100μA @ 30V
反向恢复时间（trr）：典型值5ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
尺寸：约1.6 x 1.2 x 0.85mm
包装形式：卷带（Tape & Reel）
RB501SM-30T2R的核心优势在于其低正向导通电压与高速开关能力的结合。在100mA电流下，其典型正向压降仅为490mV，远低于传统硅PN结二极管（通常为700mV以上），这意味着在相同工作条件下能显著降低功率损耗，提升系统整体能效。这对于电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端尤为重要，有助于延长续航时间。同时，该器件的反向恢复时间极短，典型值仅为5纳秒，几乎不存在反向恢复电荷，避免了因开关瞬态引起的能量浪费和电磁干扰问题，提升了电源系统的稳定性与效率。
该二极管采用SOD-123FL超小型封装，体积紧凑，适合高密度PCB布局，且具有良好的散热性能。其封装材料符合无铅焊接工艺要求，支持回流焊和波峰焊等多种贴装方式，适应现代自动化生产线的需求。器件的反向漏电流控制在100μA以内（30V时），在高温环境下仍能保持较低的漏电水平，确保长期运行的可靠性。此外，RB501SM-30T2R具备出色的浪涌电流承受能力，峰值脉冲电流可达2A，增强了对瞬态过载的耐受性。
从可靠性角度看，该产品经过严格的品质管控，具备高抗湿性、耐热循环能力和机械强度，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品等多种严苛应用场景。其工作结温范围覆盖-55°C至+150°C，可在极端温度条件下稳定工作，满足工业级甚至部分车规级应用需求。总体而言，RB501SM-30T2R是一款高性能、小尺寸、高可靠性的肖特基二极管，广泛用于现代高效能电源管理电路中。
RB501SM-30T2R常用于各类需要高效整流与低功耗特性的电子电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的DC-DC升压或降压转换器，作为续流二极管或防倒灌二极管使用，有效减少能量损失并提高转换效率。在电池充电管理电路中，它可用于防止电池反向放电，保护主控芯片安全。此外，在AC-DC适配器、LED驱动电源、USB供电模块以及嵌入式微控制器供电路径中，该器件也发挥着关键作用。
由于其快速响应特性，RB501SM-30T2R适用于高频开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和同步整流辅助电路。在信号处理电路中，可用于高频信号检波或钳位保护，抑制电压尖峰对敏感元件的影响。在汽车电子领域，该二极管可用于车载信息娱乐系统、传感器电源调节模块和LED照明控制单元，满足车规级对温度和可靠性的严格要求。
此外，该器件还广泛应用于工业自动化设备、通信模块、无线传感器网络节点以及智能家居控制板中，作为电源路径管理的关键组件。其小型化封装特别适合空间受限的设计，例如TWS耳机、智能手环和其他微型化电子产品。总之，RB501SM-30T2R凭借其优异的电气性能和高可靠性，已成为众多现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。
[
"RB501VM-30",
"RB501VX-30TFKE2",
"SS12L-TP",
"SK154",
"MBR0520",
"BAT54C",
"PMDS30,M115"
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