时间：2025/7/11 14:52:53
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MA0402CG820G160 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低能耗并提高系统效率。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET，具备出色的电气性能，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
型号：MA0402CG820G160
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：820V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V条件下）
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
MA0402CG820G160 的主要特点是其高耐压能力 (820V)，能够在高压环境下稳定运行，同时具有较低的导通电阻以减少功率损耗。
此外，它还具备快速开关速度和优秀的热稳定性，适合用于高频开关电路。
该芯片经过优化设计，能够承受较高的浪涌电流，并在极端条件下保持可靠性。
由于采用了先进工艺技术，其动态性能优异，开关损耗显著降低，非常适合对效率要求较高的应用领域。
MA0402CG820G160 广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 工业电机驱动
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电系统
- 高压电源模块
这款 MOSFET 因其高耐压和大电流承载能力，成为许多高压大功率应用的理想选择。
IRFP460,
STP16NF80,
FDP18N80E,
IXFN16N80T2
