时间：2025/6/23 11:23:51
阅读：4
RF15N110J500CT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，专为射频（RF）和微波应用设计。该器件具有高击穿电压、低导通电阻以及卓越的开关性能，适合用于通信基站、雷达系统、工业加热等领域的高效功率放大器设计。
其封装形式为表面贴装型，能够有效降低寄生电感并提升整体效率。此外，RF15N110J500CT 的工作频率范围广，可满足多种复杂环境下的射频信号处理需求。
最大漏源电压：110V
连续漏极电流：15A
峰值脉冲漏极电流：45A
输出功率：500W
工作频率范围：30MHz-1000MHz
栅极电荷：25nC
导通电阻：0.06Ω
热阻：1.2°C/W
RF15N110J500CT 使用先进的氮化镓技术制造，具备出色的高频特性和高效率。
该晶体管能够在较高的频率范围内保持稳定的增益和较低的失真度，从而满足高性能射频功率放大器的需求。
同时，其优化的封装设计大幅减少了寄生效应，提高了系统的稳定性和可靠性。
另外，该器件内置过流保护功能，确保在极端条件下的安全运行。
RF15N110J500CT 适用于多种高频功率应用场景，包括但不限于：
1. 通信基站中的射频功率放大器
2. 军用及民用雷达系统
3. 医疗设备中的高频电源
4. 工业加热和等离子体生成设备
5. 测试测量仪器中的高功率信号源
由于其宽泛的工作频率范围和高功率输出能力，该器件成为许多现代高频电子系统的理想选择。
RF15N110J400CT
RF15N100J500CT
