时间：2025/9/10 0:04:39
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LHDM020200AZDV0E是一款高性能的电子元器件芯片，主要应用于电力电子领域，具有出色的稳定性和可靠性。该芯片设计用于高功率应用，例如电源管理、电机控制和工业自动化系统。其制造采用了先进的半导体技术，以确保在高温和高压环境下仍能维持良好的性能。LHDM020200AZDV0E还集成了多种保护功能，如过流保护、过热保护和短路保护，以增强系统的安全性与耐用性。
型号:LHDM020200AZDV0E
类型:功率MOSFET
最大漏极电流:200A
漏源击穿电压:200V
导通电阻:2.0mΩ
封装类型:TO-247
工作温度范围:-55°C至175°C
保护功能:过流保护, 过热保护, 短路保护
安装类型:通孔安装
LHDM020200AZDV0E具有多项显著特性，使其在高功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低系统中的功率损耗，提高整体效率。此外，高漏极电流能力和高击穿电压使得该器件适用于需要高功率密度的设计。LHDM020200AZDV0E的TO-247封装不仅提供了良好的热管理性能，还能适应高电流负载条件下的稳定运行。同时，该芯片内置的多重保护机制有效防止了因异常工况导致的损坏，从而延长了设备的使用寿命。值得一提的是，其高温耐受能力确保了在恶劣环境中依然可以保持稳定性能。最后，LHDM020200AZDV0E的封装设计优化了PCB布局的便利性，并支持高效的散热管理，适用于各种工业级和汽车级应用。
LHDM020200AZDV0E广泛应用于多个高功率电子系统中，包括工业电机驱动器、电动汽车充电系统、可再生能源逆变器、不间断电源（UPS）以及高功率DC-DC转换器。在电机控制领域，该芯片可作为主开关器件，用于高效控制电机的启停和转速调节。在新能源领域，LHDM020200AZDV0E常用于太阳能逆变器和储能系统，以提高能量转换效率。此外，它还适用于服务器电源、电信设备电源和工业自动化控制系统等高可靠性要求的应用场景。由于其出色的耐压和耐流能力，LHDM020200AZDV0E也是高性能电源模块的理想选择。
IXFN200N20T, STY200N20T, FF200R12KS4_B11
