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CS8N90FA9D 发布时间 时间:2025/5/10 9:08:25 查看 阅读:7

CS8N90FA9D是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域,能够有效提高系统的效率和可靠性。
  这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,其封装形式通常为TO-220或SOT-223等常见类型,适用于需要高电流处理能力和快速动态响应的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:45A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=12ns, toff=15ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

CS8N90FA9D具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可以减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
  3. 高电流承载能力(高达45A),满足大功率需求。
  4. 优异的热性能,确保在高温条件下稳定运行。
  5. 强大的抗静电能力(ESD保护),提高了产品的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

CS8N90FA9D广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和DC/DC转换器。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护等。
  该器件凭借其出色的性能和可靠性,成为众多高功率应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5500
  AO3400

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