CS8N90FA9D是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件主要应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域,能够有效提高系统的效率和可靠性。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管,其封装形式通常为TO-220或SOT-223等常见类型,适用于需要高电流处理能力和快速动态响应的应用场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:45A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=12ns, toff=15ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
CS8N90FA9D具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(2.5mΩ),可以减少导通损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力(高达45A),满足大功率需求。
4. 优异的热性能,确保在高温条件下稳定运行。
5. 强大的抗静电能力(ESD保护),提高了产品的可靠性。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
CS8N90FA9D广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统中的负载开关和DC/DC转换器。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护等。
该器件凭借其出色的性能和可靠性,成为众多高功率应用的理想选择。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5500
AO3400