ZXMN6A07F是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET,采用SOT-23-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点,适用于各种需要高效能和小尺寸的应用场景。
由于其紧凑的设计和出色的电气特性,ZXMN6A设备、消费类电子产品以及工业控制领域中使用。
最大漏源电压:70V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:1.2Ω
栅极电荷:1.5nC
总功耗:420mW
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 低导通电阻设计使得功率损耗显著降低,从而提高整体效率。
2. 高开关速度能够支持高频操作环境,适合现代电子产品的快速响应需求。
3. 小型SOT-23-3封装简化了PCB布局并节省空间。
4. 出色的热稳定性确保器件即使在极端条件下也能可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到绿色产品设计中。
1. 开关电源中的同步整流器
2. DC/DC转换器
3. 电池保护电路
4. 负载开关
5. 消费类电子产品的电源管理模块
6. 工业自动化控制系统中的信号切换组件
ZXMN6A07FTR, ZXMN6A07H, BSS138