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ZXMN6A07F 发布时间 时间:2025/5/29 2:16:05 查看 阅读:9

ZXMN6A07F是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型MOSFET,采用SOT-23-3封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点,适用于各种需要高效能和小尺寸的应用场景。
  由于其紧凑的设计和出色的电气特性,ZXMN6A设备、消费类电子产品以及工业控制领域中使用。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻:1.2Ω
  栅极电荷:1.5nC
  总功耗:420mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 低导通电阻设计使得功率损耗显著降低,从而提高整体效率。
  2. 高开关速度能够支持高频操作环境,适合现代电子产品的快速响应需求。
  3. 小型SOT-23-3封装简化了PCB布局并节省空间。
  4. 出色的热稳定性确保器件即使在极端条件下也能可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到绿色产品设计中。

应用

1. 开关电源中的同步整流器
  2. DC/DC转换器
  3. 电池保护电路
  4. 负载开关
  5. 消费类电子产品的电源管理模块
  6. 工业自动化控制系统中的信号切换组件

替代型号

ZXMN6A07FTR, ZXMN6A07H, BSS138

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