时间：2025/7/4 5:11:19
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TD3063SL(T1)-GV 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效率功率开关器件，专为高频、高功率密度应用而设计。该芯片结合了高性能的驱动电路和优化的封装设计，能够显著提升系统的转换效率并减小整体尺寸。其主要应用于快速充电器、适配器以及工业电源等领域。
型号：TD3063SL(T1)-GV
工作电压：100V
连续电流：8A
RDS(on)：7.5mΩ
封装形式：DFN8x8
栅极电荷：32nC
反向恢复时间：<40ns
工作温度范围：-40℃ to +150℃
TD3063SL(T1)-GV 的核心特点是采用了先进的 GaN 技术，使其具备极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 7.5mΩ，从而大幅降低传导损耗。
GaN 器件的开关速度远高于传统硅基 MOSFET，因此 TD3063SL(T1)-GV 的反向恢复时间小于 40 纳秒，非常适合高频开关应用。
此外，该器件具有良好的热性能和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，最高结温可达 150°C。其 DFN8x8 封装方式也使其更易于集成到小型化系统中。
通过内部优化的驱动电路设计，TD3063SL(T1)-GV 还能有效抑制电磁干扰 (EMI)，提高系统的稳定性与兼容性。
TD3063SL(T1)-GV 广泛应用于需要高效能和高频工作的场景，包括但不限于：
1. USB PD 快速充电器
2. 笔记本电脑适配器
3. 消费类电子设备电源
4. 工业用 AC/DC 转换器
5. 通信设备中的 DC/DC 模块
由于其低导通电阻和快速开关特性，TD3063SL(T1)-GV 在这些领域中能够提供更高的功率密度和更低的能耗，同时减少散热需求。
TD3063SL(T1)-G, CSD88495KSS, GaNFET GM65LXA
