时间：2025/12/23 12:00:03
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FDD86102 是一款 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 DPAK 封装。该器件适用于高效率开关应用，如 DC-DC 转换器、电源管理模块和电机驱动等场景。
由于其低导通电阻和良好的开关性能，FDD86102 能够在高频条件下保持较低的功耗，同时提供稳定的电流处理能力。
型号：FDD86102
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：0.14Ω
Id（连续漏极电流）：5A
封装：DPAK
栅极电荷：30nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
FDD86102 的主要特性包括：
1. 低导通电阻：Rds(on) 典型值为 0.14Ω，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高耐压能力：支持高达 100V 的漏源极电压，使其适合多种中高压应用场景。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷 (30nC) 使得该器件能够在高频条件下高效运行。
4. 稳定性强：能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内可靠工作。
5. 小型封装：DPAK 封装提供了出色的散热性能，同时节省了 PCB 布局空间。
FDD86102 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理及保护电路。
3. 电机驱动和控制。
4. 工业自动化设备中的功率转换。
5. LED 照明驱动。
6. 通信设备中的信号调节和功率分配。
FDP5500
IRF540N
STP55NF06L
