时间：2025/5/15 13:18:37
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RB481KTL是一种用于功率管理的N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用TO-252封装形式，具备较低的导通电阻以及较高的电流处理能力，有助于提高系统效率并降低功耗。
RB481KTL的设计旨在满足现代电子设备对高效率和小体积的需求，其出色的电气性能和可靠性使其成为多种工业和消费类应用的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：27A
导通电阻：3.5mΩ
总功耗：135W
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)）确保了高效的功率转换和较低的传导损耗。
2. 高雪崩能量能力增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关速度减少开关损耗，适合高频应用。
4. 具备静电放电保护功能，提高了使用中的稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
6. 封装形式紧凑，便于PCB布局与安装。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流/直流转换器和降压升压电路中的关键元件。
3. 电动工具、家用电器及其他设备中的电机驱动控制。
4. 负载开关和保护电路，如过流保护和短路保护。
5. 各种工业自动化和通信设备中的功率管理模块。
IRLZ44N, AO3400, FDN339AN
