时间：2025/6/22 6:16:53
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CGA6P3X7S1H106K250AB 是一款由罗姆半导体（ROHM）生产的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
型号：CGA6P3X7S1H106K250AB
品牌：ROHM
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-Leadless (TOLL)
Vds（漏源极电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：250mΩ
Id（连续漏极电流）：8.4A
Qg（栅极电荷量）：29nC
Eoss（输出电容能量损耗）：29μJ
Tj（结温范围）：-55℃ to 175℃
CGA6P3X7S1H106K250AB采用了ROHM的先进沟槽技术，具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，在250mΩ的水平下可以有效减少导通损耗。
2. 高耐压能力，Vds达到650V，适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关速度，得益于其优化的栅极电荷量Qg，能够降低开关损耗。
4. 小型化封装TOLL，节省PC
5. 支持高温工作环境，最高结温可达175℃，满足工业级应用需求。
6. 出色的可靠性和稳定性，经过严格的工艺控制和质量检测流程。
这款功率MOSFET非常适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
CGA6P3X7S1H106K250AB主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 工业设备中的电机驱动控制。
3. LED照明系统的恒流驱动。
4. DC-DC转换器的核心开关元件。
5. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理模块。
6. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。
由于其高耐压和低导通电阻的特性，该器件在需要高效率和高稳定性的场景中表现出色。
IRFZ44N
FQP17N60
STP10NK60Z
AO3400
