ME50N06A 时间：2025/7/4 19:42:20 阅读：10

ME50N06A 是一款 N 沣道通态场效应晶体管（MOSFET），属于功率半导体器件。它主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景中，能够提供高效的电流控制和低导通损耗。
　　该器件采用 TO-220 封装形式，适合高电流和高电压的工作环境。由于其较低的导通电阻和较高的雪崩能力，ME50N06A 在各类电力电子应用中表现出色。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：1.4mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　总功耗：175W
　　工作结温范围：-55℃~+150℃

特性

ME50N06A 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻，能够减少能量损耗，提高系统效率。
　　2. 高雪崩击穿能量（EAS），确保在异常条件下具备良好的耐受能力。
　　3. 快速开关速度，支持高频应用。
　　4. 内置二极管设计，有助于降低反向恢复损耗。
　　5. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于使用。
　　这些特性使 ME50N06A 成为高效电力转换的理想选择。

应用

ME50N06A 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）
　　2. 电机驱动与控制
　　3. 电池保护电路
　　4. 工业逆变器
　　5. LED 照明驱动
　　6. 充电器和适配器
　　7. 各类 DC-DC 转换器
　　该器件凭借其出色的性能，适用于需要高效功率转换和低损耗的场景。