时间:2025/12/25 10:21:20
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RB420DT146是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用双二极管配置,封装形式为SOD-323。该器件专为高效率、小尺寸的电源管理应用而设计,广泛应用于便携式电子设备和高频开关电路中。由于其低正向电压降和快速开关特性,RB420DT146在降低功耗和提高系统效率方面表现出色。该二极管结构上采用两个独立的肖特基二极管共阴极连接方式,适合用于输入反向保护、DC-DC转换器中的续流与箝位电路、信号整流以及电源路径切换等场景。RB420DT146具有良好的热稳定性和可靠性,符合工业级工作温度范围要求,并满足无铅和RoHS环保标准,适用于自动化贴片生产工艺。其小型化封装有助于节省PCB空间,是现代紧凑型电子产品中的理想选择之一。
类型:双肖特基二极管
配置:共阴极
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):150mA
峰值浪涌正向电流(IFSM):0.5A
最大正向电压(VF):0.48V @ 100mA
最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 20V
反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
封装/包装:SOD-323
安装类型:表面贴装(SMD)
引脚数:2
湿气敏感等级(MSL):1(260°C,无限时间)
符合RoHS标准:是
RB420DT146具备优异的电气性能和物理特性,使其成为众多低电压、高频应用中的首选元件。
首先,该器件采用了肖特基势垒技术,具有非常低的正向导通压降(VF),在100mA电流下典型值仅为0.48V。这一特性显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率,特别适用于电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和平板电脑等对能效要求较高的场合。低VF还意味着更少的热量产生,有助于提升系统的热稳定性并减少散热设计复杂度。
其次,RB420DT146拥有极快的开关速度,反向恢复时间(trr)典型值仅为5ns。相较于传统PN结二极管,这种超快恢复能力有效抑制了开关过程中的反向恢复电荷问题,减少了电磁干扰(EMI)和电压尖峰,提升了整体电路的动态响应性能,非常适合用于高频DC-DC转换器和同步整流辅助电路中。
此外,该器件采用SOD-323小型表面贴装封装,尺寸紧凑(约1.7mm × 1.25mm × 1.0mm),极大节省了印刷电路板(PCB)空间,支持高密度布局,满足现代电子产品小型化趋势的需求。同时,该封装具有良好的热传导性能和机械强度,适合回流焊工艺,兼容自动化生产流程。
RB420DT146的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行,适用于工业控制、汽车电子外围电路及消费类电子产品等多种应用场景。器件符合RoHS指令和无卤素要求,体现了绿色环保设计理念。另外,其低反向漏电流(典型值0.1μA @ 20V)保证了在待机或低功耗模式下的高阻断性能,避免不必要的能量损耗。总体而言,RB420DT146以其高效、快速、小型和可靠的特点,在低压功率管理领域展现出卓越的应用价值。
RB420DT146广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。
在便携式消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等,该器件常被用于电池输入端的反向极性保护电路,防止因电池误插或外部电源反接导致的损坏。其低正向压降特性使得在保护电路中引入的额外功耗极小,有利于延长设备续航时间。
在DC-DC转换器电路中,RB420DT146常作为续流二极管或箝位二极管使用,特别是在非同步降压(Buck)或升压(Boost)拓扑中,用于提供电感电流的续流通路。由于其快速的反向恢复时间和低VF特性,能够有效减少开关损耗,提高电源转换效率,并降低电磁噪声,从而提升整个电源模块的性能表现。
此外,该器件也适用于信号整流与隔离电路,例如在USB接口、传感器信号调理路径或逻辑电平切换电路中实现单向导通功能。其共阴极双二极管结构允许两个通道独立工作,可用于多路电源路径选择或冗余供电系统的防倒灌设计。
在汽车电子领域,尽管其额定电压较低,但RB420DT146仍可用于车载信息娱乐系统、LED驱动模块或车身控制模块中的低压辅助电源管理部分,尤其是在需要小型化和高可靠性的场合。
工业控制设备中的传感器接口、通信模块和微控制器供电单元也是其典型应用场景。由于其符合工业级温度范围和环保标准,RB420DT146能够在复杂电磁环境和宽温条件下长期稳定运行,保障系统可靠性。总的来说,这款二极管凭借其高性能和紧凑设计,已成为现代电子系统中不可或缺的基础元器件之一。
RB420DQ146
RB420DS146
PMBS420T1G
BAS420W
BAT54C