时间：2025/8/5 19:36:01
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IXYN120N65B3D1 是一款由 IXYS 公司制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高效率的应用。这款 MOSFET 采用 TO-247 封装形式，具有良好的热性能和高电流承载能力。IXYN120N65B3D1 的设计使其在高电压和高电流条件下依然能够保持稳定的工作状态。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω（最大）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
功率耗散：400W
栅极电荷（Qg）：220nC
输入电容（Ciss）：4000pF
IXYN120N65B3D1 具有低导通电阻，这使得在导通状态下功率损耗最小化，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件的高电流承载能力使其非常适合用于高功率应用。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长了器件的使用寿命。TO-247 封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。
IXYN120N65B3D1 的栅极电荷较低，这有助于减少开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。同时，输入电容较低，减少了栅极驱动电路的负载，提高了响应速度。
该器件的高可靠性和稳定性使其在工业和电力电子领域中得到了广泛应用。
IXYN120N65B3D1 主要应用于电力电子变换器、电机驱动、电源管理、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高功率场合。其高电流和高电压能力使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。此外，该 MOSFET 也可用于需要高频率开关操作的应用，如开关电源和 DC-DC 转换器。
IXFN120N65X2D1, IRFP4668TRL7PM
