LSYT676 时间：2025/9/26 9:33:13 阅读：5

LSYT676是一款由乐山无线电股份有限公司（简称‘乐无’）生产的硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），主要用于中低功率开关和放大电路应用。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于多种消费类电子、工业控制及电源管理场合。LSYT676属于TO-252（D-PAK）封装形式，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合在紧凑型电源设计中使用。其主要优势在于高效率、低功耗以及较强的抗干扰能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，该型号广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、LED驱动电源、充电设备等应用场景。作为国产MOSFET产品，LSYT676在性价比方面表现出色，是许多替代进口器件的理想选择之一。由于其引脚兼容性强，常被用于替换其他厂商同封装、同规格的N沟道MOSFET。

参数

型号：LSYT676
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-252 (D-PAK)
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：70A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：280A
　　导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　功耗(PD)：250W（Tc=25℃）
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

特性

LSYT676采用高性能平面工艺技术，确保了器件在高频开关环境下的稳定性与可靠性。其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通损耗，提高了系统整体能效，特别适用于大电流输出场景。器件的高电流承载能力（可达70A连续漏极电流）使其在电机驱动和电源转换应用中表现优异。同时，得益于TO-252封装的良好散热性能，LSYT676可以在高功率密度条件下长时间运行而不会出现过热问题。该MOSFET具备优良的栅极电荷特性，输入电容和反向传输电容较小，有助于降低驱动损耗并提升开关速度，从而减少开关过程中的能量损耗。此外，其阈值电压范围适中，在2.0V至4.0V之间，能够兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V控制系统，增强了系统的通用性。
　　LSYT676还具备出色的热稳定性与抗雪崩能力，能够在瞬态过载或短路情况下维持一定时间的安全运行，提升了系统的鲁棒性。其内部结构优化减少了寄生参数的影响，有效抑制了米勒效应带来的误导通风险。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。在制造过程中，LSYT676经过严格的质量控制和可靠性测试，确保批次一致性高，适合自动化贴片生产。凭借国产供应链的优势，该型号供货稳定，成本可控，广泛应用于各类中低端功率电子设备中，尤其受到国内电源模块厂商的青睐。

应用

LSYT676广泛应用于各类中高功率电子设备中，尤其是在需要高效能、低成本解决方案的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）中的充放电控制、电动工具电源模块、LED恒流驱动电源以及小型逆变器等。由于其支持大电流开关操作，也常用于直流电机驱动电路中，如风扇控制、电动车控制器、家用电器电机控制等场景。此外，在各类充电器（如手机快充、笔记本适配器）中，LSYT676可作为主开关管或同步整流管使用，有效提升转换效率并降低发热。工业控制领域中，该器件可用于继电器驱动、电磁阀控制和PLC输出模块中，提供可靠的功率切换功能。在太阳能光伏系统和储能设备中，LSYT676也能胜任旁路或防反接功能的角色。得益于其封装易于散热且便于焊接，特别适合采用自动贴片工艺的大规模生产，因此在消费类电子和工业电子产品中均有广泛应用。