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1N3765 发布时间 时间:2025/12/26 20:40:42 查看 阅读:22

1N3765是一款硅材料制成的齐纳二极管,广泛应用于电压调节和过压保护电路中。该器件设计用于在反向击穿区域稳定工作,能够在特定的齐纳电压下提供稳定的参考电压输出。1N3765属于标准功率齐纳二极管系列,适用于多种工业、消费类电子及通信设备中的稳压需求。其封装形式通常为DO-41或类似的轴向引线封装,具有良好的热稳定性和长期可靠性。该器件的关键优势在于其精确的电压容差控制和较低的动态阻抗,有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性。此外,1N3765具备较高的浪涌电流承受能力,适合在瞬态电压环境下使用。由于其成熟的设计和广泛应用,该型号在电子元器件市场中具有较高的可获得性,并常被用作基准电压源或箝位元件。

参数

类型:齐纳二极管
  极性:单齐纳
  齐纳电压(Vz):3.9V
  测试电流(IzT):20mA
  最大齐纳阻抗(Zzt):15Ω
  最大反向漏电流(IR):1μA
  功率耗散(Pd):1W
  工作结温范围(Tj):-65°C 至 +175°C
  封装形式:DO-41
  极性标识:阴极环带

特性

1N3765齐纳二极管的核心特性之一是其稳定的齐纳击穿电压,标称值为3.9V,在20mA的测试电流下能够保持高度一致的电压输出。这一电压值处于硅PN结的典型齐纳与雪崩击穿过渡区间,因此兼具较低的温度系数和良好的电压稳定性。该器件的动态阻抗低至15Ω,意味着在负载电流发生波动时,输出电压的变化幅度较小,从而提高了电源或参考电路的稳定性。此外,其反向漏电流在额定条件下不超过1μA,确保了在低功耗应用中的高效性能。
  该器件采用1W的功率封装,可在DO-41封装下实现良好的散热性能,适用于中等功率的稳压场景。其宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)使其能够在极端环境条件下可靠运行,包括高温工业环境或低温户外设备。制造工艺上,1N3765通过精密扩散技术控制掺杂浓度,确保电压容差控制在±5%以内,提升了批次一致性。同时,器件经过严格的可靠性筛选,具备出色的长期稳定性,即使在长时间连续工作下也能保持参数不漂移。
  在电磁兼容性和瞬态响应方面,1N3765表现出较强的抗干扰能力。其快速的响应时间使其能够有效抑制电路中的电压尖峰,常用于信号线路的过压保护。此外,该器件的阴极通过色环明确标识,便于自动化装配和手工焊接时的极性识别,减少装配错误。综合来看,1N3765凭借其稳定的电气性能、坚固的封装结构和广泛的工作条件,成为模拟电路设计中常用的电压基准和稳压元件。

应用

1N3765齐纳二极管广泛应用于需要稳定参考电压的各种电子电路中。最常见的用途是在低压直流电源系统中作为并联稳压器,为微控制器、传感器或其他敏感电路提供稳定的3.9V参考电压。在模拟电路中,它常被用作比较器或运算放大器的电压基准源,以确保信号处理的准确性。此外,在电池供电设备中,该器件可用于防止过充或过放保护电路中的电压检测节点,提高系统的安全性与可靠性。
  在工业控制系统中,1N3765可用于PLC模块、数据采集单元或通信接口的电平箝位,防止因瞬态电压或静电放电导致的器件损坏。其良好的温度稳定性和低漏电流特性也使其适用于高精度测量仪器,如数字万用表、示波器前端电路等,作为内部基准的一部分。在消费类电子产品中,如音频设备、电源适配器或LED驱动电路中,该齐纳管可用于偏置电路或反馈回路的电压设定。
  此外,1N3765还可用于浪涌保护电路,配合限流电阻使用,对输入信号线进行电压限制,防止异常高压损坏后级集成电路。在汽车电子领域,尽管其非车规级认证,但在部分辅助照明或车载附件电路中仍可见其应用。总体而言,该器件适用于任何需要低成本、高可靠性且电压精度要求适中的稳压或参考应用场景。

替代型号

1N4732A
  BZX55C3V9
  MMSZ4689T1G
  ZMM3V9

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1N3765参数

  • 数据列表1N1183(A), 1N3765, 1N2128A Series
  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)700V
  • 电流 - 平均整流 (Io)35A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.8V @ 110A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5mA @ 700V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-203AB,DO-5,接线柱
  • 供应商设备封装DO-203AB
  • 包装散装
  • 其它名称*1N3765