型号：WL08GT10N
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：8V
　　栅源电压Vgs：±12V
　　连续漏极电流Id：1A（@Vgs=4.5V）
　　脉冲漏极电流Idm：4A
　　导通电阻Rds(on)：100mΩ（@Vgs=4.5V）
　　导通电阻Rds(on)：130mΩ（@Vgs=2.5V）
　　阈值电压Vgs(th)：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容Ciss：270pF（@Vds=5V）
　　输出电容Coss：150pF（@Vds=5V）
　　反向传输电容Crss：40pF（@Vds=5V）
　　开启延迟时间td(on)：8ns
　　关断延迟时间td(off)：15ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

WL08GT10N采用先进的沟槽型MOSFET结构，具有极低的导通电阻，这使得它在低电压应用中能够显著降低导通损耗，提高整体能效。其Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为100mΩ，在Vgs=2.5V时也保持在130mΩ以下，表明该器件在低栅极驱动电压下仍具备良好的导通能力，适用于3.3V或更低逻辑电平控制的系统。这种低阈值电压和低驱动需求的特性使其非常适合用于由微控制器GPIO直接驱动的应用场景，例如智能穿戴设备、物联网终端和移动电源等对空间和功耗极为敏感的设计。
　　该器件具备优异的开关性能，输入电容Ciss仅为270pF，配合较低的栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出色。开启延迟时间约为8ns，关断延迟时间为15ns，确保了快速响应和高效切换，有助于减少开关损耗并提升电源转换效率。同时，WL08GT10N在高温环境下依然保持稳定的电气性能，最大工作结温可达+150°C，增强了其在高负载或密闭环境中的可靠性。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化的引脚布局实现有效的热量传导。此外，该器件符合JEDEC标准的可靠性测试要求，具备优良的抗静电能力（HBM ESD rating ≥ 2kV），提升了生产装配过程中的良品率和长期使用的稳定性。综合来看，WL08GT10N是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，特别适用于需要微型化、低功耗和高效率的现代电子系统设计。

WL08GT10N广泛应用于各类低电压、小功率的电子控制系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关与负载切换，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电池供电管理模块。在这些设备中，它可以作为负载开关用于控制不同功能模块的上电时序，从而实现节能与系统保护。此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，利用其低导通电阻来减少能量损耗，提升转换效率。
　　在LED照明驱动电路中，WL08GT10N可用于控制小功率LED灯珠的通断，特别是在背光调节或状态指示灯控制中表现良好。由于其支持PWM调光且响应速度快，因此能够实现精确的亮度控制。在电机驱动方面，该MOSFET可作为微型直流电机或振动马达的驱动开关，应用于手机震动模块、玩具机器人或小型风扇等产品中。
　　工业与消费类电子产品中的信号切换和逻辑控制也是其典型应用场景之一。例如，在多路复用器、传感器使能控制或I/O扩展电路中，WL08GT10N可以作为高速开关元件，实现信号通路的动态接通与断开。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适用于大批量制造，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。此外，该器件还可用于过流保护电路、热插拔控制以及各种电池供电系统的电源管理单元中，提供安全可靠的开关功能。

AO8806, SI2302DS, FDMN7618, BSS138AK, 2N7002K