时间：2025/6/19 6:52:38
阅读：3
STD5407NT4G是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263-3封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率转换的应用场景中。
这款MOSFET以低导通电阻和高效率著称，适合在高频开关条件下使用。其出色的电气特性和热性能使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
型号：STD5407NT4G
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：7mΩ
Id（连续漏极电流）：68A
Vgs(th)（阈值电压）：2.1V
Qg（栅极电荷）：13nC
BVDSS（漏源击穿电压）：40V
PD（总功耗）：154W
封装：TO-263-3
STD5407NT4G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力（高达68A3. 低栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，特别适合高频工作条件。
4. 提供良好的热稳定性和可靠性，确保在各种环境下的长期运行。
5. 小巧的TO-263-3封装设计，便于安装和散热。
6. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的需求。
STD5407NT4G主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 各类电机驱动，如步进电机、无刷直流电机等。
3. 负载开关，在便携式设备和电池管理系统中实现高效的电源管理。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
6. 其他需要高性能功率开关的场合。
STD5407N4G, IRLZ44N, FDN337N
