类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：500mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压降（VF）：520mV @ 500mA, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 30V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/包装：PMDE
　　安装类型：表面贴装

RB050M-30的核心优势在于其优异的电学性能与紧凑的封装形式相结合，提供了高效的能量转换能力。首先，其低正向导通压降特性显著减少了在导通状态下的功率损耗，尤其在大电流输出条件下表现突出，有助于提升整体电源效率并减少散热需求。这一特点使其特别适用于电池供电设备或对能效敏感的应用场景，例如移动电源、无线耳机充电仓和智能手表等可穿戴设备。
　　其次，作为一款肖特基二极管，RB050M-30拥有极快的反向恢复时间（trr），远低于传统PN结二极管，几乎可以忽略不计，从而极大降低了开关过程中的动态损耗，避免了高频工作时可能出现的振铃和电磁干扰问题。这种快速响应能力使得它非常适合用于高频开关电源拓扑结构中，如同步整流辅助电路、BUCK/BOOST变换器的续流路径以及反激式转换器中的次级侧整流。
　　再者，该器件采用了先进的芯片制造工艺和封装技术，确保了良好的热传导性能和长期运行稳定性。PMDE封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.0×1.25×0.95mm），还具备较高的机械强度和耐湿性，适应严苛的环境条件。同时，产品通过了AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均满足汽车级应用的可靠性要求，可用于车载充电模块、车身控制单元和ADAS系统中。
　　最后，RB050M-30具有较低的反向漏电流，在高温环境下仍能保持较好的阻断能力，虽然肖特基二极管普遍存在比普通整流管更高的漏电流，但该型号通过优化势垒高度和掺杂工艺，在VF与IR之间实现了良好平衡，提升了高温工况下的安全裕度。综合来看，RB050M-30是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能肖特基二极管，广泛适用于现代电子系统中对效率和空间要求严苛的设计需求。

RB050M-30广泛应用于各类需要高效整流和快速开关响应的电子电路中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理单元，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机的充电管理电路，作为防反接保护二极管或LDO后级隔离元件使用。在DC-DC转换器中，常被用作同步整流MOSFET的辅助续流二极管，以防止体二极管导通带来的高损耗，提高轻载效率。
　　在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器供电电路和隔离电源的输出整流环节，提供稳定的电压输出和可靠的故障防护。此外，在LED照明驱动电源中，RB050M-30可用于恒流源电路的续流路径，确保电流连续性并抑制电压尖峰。
　　由于其通过AEC-Q101认证，因此也适用于汽车电子领域，例如车载导航系统、仪表盘背光驱动、电动门窗控制模块和电池管理系统（BMS）中的电压采样保护电路。在这些应用中，其高温工作能力和长期稳定性至关重要。
　　另外，该器件还可用于USB供电接口的电源切换电路，实现主副电源之间的无缝切换，并防止电流倒灌损坏上游电源。在网络通信设备中，如路由器、交换机的板级电源分配系统中，RB050M-30可用于多路电源冗余设计中的OR-ing二极管功能，保障系统的持续供电可靠性。

RB050M-30T101
　　RB050M-30CT